[发明专利]多层反射镜

权利要求书

1.一种多层反射镜，配置用于反射极紫外(EUV)辐射、同时吸收第二类型的辐射，所述第二类型的辐射的波长基本上比EUV辐射的波长长，所述反射镜包括：

叠置在基底上的多个层对，每个层对包括第一层和第二层，所述第一层包括第一材料，所述第二层包括第二材料，其中在所述多个层对的至少一个层对子集中的第一层被改变，使得相比于具有相同厚度的第一材料的单层，减少了所述第一层对反射所述第二辐射的贡献。

2.如权利要求1所述的反射镜，其中，所述被改变的第一层包括与第三材料相邻或者与第三材料混合的所述第一材料，所述第三材料对于减小所述第一材料中的导电电子的可用性是有效的。

3.如权利要求1所述的反射镜，其中，所述被改变的第一层中的每个第一层包括在被相对绝缘的第四材料构成的阻隔层彼此分开的多个子层中的所述第一材料。

4.如权利要求3所述的反射镜，其中，所述多个子层的至少一个子集包括与第三材料相邻或者与第三材料混合的所述第一材料，所述第三材料对于减小所述第一材料中的导电电子的可用性是有效的。

5.如前述任一权利要求所述的反射镜，其中，所述第一材料是金属，所述第二材料是半导体。

6.如前述任一权利要求所述的反射镜，其中，在所述叠层的主要部分中的每个层对的厚度在5-7nm的范围内。

7.如权利要求6所述的反射镜，其中，在所述叠层的主要部分中的每个层对的厚度在6.5-7nm的范围内。

8.如前述任一权利要求所述的反射镜，其中，所述多个层对的总的厚度大于500nm。

9.如前述任一权利要求所述的反射镜，其中，所述叠层形成在基底层之上，所述基底层包括所述第一材料的层，该第一材料的层的厚度为所述叠层的层对中的所述第一类型的层的厚度的5倍或更多倍，其中所述基底层配置成将到达基底层的基本上所有的第二辐射反射回所述叠层中。

10.一种光刻设备，包括：

辐射源，配置成产生包括极紫外辐射的辐射；

照射系统，配置成将辐射调节为辐射束；

支撑结构，配置成支撑图案形成装置，所述图案形成装置被配置成对辐射束进行图案化；以及

投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到目标材料上；

其中所述辐射源、所述照射系统和所述投影系统中的至少一个包括如前述任一权利要求所述的多层反射镜。

11.如权利要求10所述的光刻设备，其中，所述辐射源包括燃料传送系统和激光辐射源，所述激光辐射源被布置用于将红外波长处的辐射传送到目标上，所述目标包括由所述燃料传送系统传送的等离子体燃料材料，用于产生所述极紫外辐射，从而所述辐射源朝向所述多层反射镜发射极紫外(EUV)和红外辐射的混合辐射，所述多层反射镜对于所述EUV辐射具有大于60％的反射率，对于所述红外辐射具有小于40％的反射率。

12.如权利要求10或11所述的光刻设备，其中，所述多层反射镜是与所产生的EUV辐射相遇的第一反射元件。

13.一种用于制造多层反射镜的方法，所述多层反射镜配置成透射极紫外辐射，所述方法包括：

交替地沉积第一类型的层和第二类型的层，以在基底上形成层对的叠层，其中每个层对包括第一层和第二层，所述第一层至少包括第一材料，所述第二层至少包括第二材料，并且其中在所述层对的至少一个层对子集中的第一层被形成为能够相比于具有相同厚度的第一材料的单层减少所述第一层对所述第二辐射的反射的贡献。

14.如权利要求13所述的方法，其中，在所述层对子集中，所述第一层形成为与第三材料相邻或者与第三材料混合，所述第三材料对于减小所述第一材料中的导电电子的可用性是有效的。

15.如权利要求13或14所述的方法，其中，在所述层对子集中，所述第一层由所述第一材料的多个子层形成，所述多个子层通过由相对绝缘的第四材料构成的阻隔层而被彼此分开。