[发明专利]用于压制陶瓷蜂窝状结构的高分辨率大视场扫描检查系统有效
申请号: | 201080051586.4 | 申请日: | 2010-11-10 |
公开(公告)号: | CN102639990A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | L·R·佐勒三世 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | G01N21/956 | 分类号: | G01N21/956;G01B11/28 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 丁晓峰 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 压制 陶瓷 蜂窝状 结构 高分辨率 视场 扫描 检查 系统 | ||
1.一种检查系统,所述检查系统用于检查具有端面的细胞状陶瓷基底的胞室,且所述检查系统包括:
照明器,所述照明器构造成在所述端面上对于多个胞室提供正交入射线式照明;
可动平台,所述可动平台可动地支承所述陶瓷结构,使得所述线式照明在扫描路径之上对于所述端面进行扫描;
光学成像系统,所述光学成像系统具有轴线并且构造成形成经照明的多个胞室的线图;
线扫描图像传感器,所述线扫描图像传感器设置成接收并探测所述线图并且从其中产生相对应的线图信号;以及
控制器,所述控制器构造成处理所述线图信号,以形成所述端面的合成图像并且从其中确定至少一个胞室的至少一个参数。
2.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述照明器包括镜子,所述镜子沿着所述光学成像系统的轴线设置在所述光学成像系统和所述端面之间,且所述镜子构造成使照明光束沿着所述轴线反射来形成所述正交入射线式照明。
3.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述光学成像系统是双远光的并且具有1X的放大倍率。
4.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述线扫描图像传感器包括至少大约8000个方形像素,所述方形像素具有小于或等于大约5μm的边。
5.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述光学成像系统具有一定焦深,且所述可动平台构造成支承所述陶瓷蜂窝状本体,使得所述端面保持在所述焦深内。
6.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述可动平台使所述陶瓷蜂窝状结构以一定扫描速度运动,且所述线扫描成像传感器具有一定扫描速率并且包括使所述扫描速率与所述扫描速度耦合的编码器。
7.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述控制器包括存储单元并且包括处理器单元,所述存储单元适合于存储线图,而所述处理器单元适合于处理所述线图以形成所述合成图像,并且处理所述合成图像以确定所述至少一个参数。
8.一种检查细胞状陶瓷基底的端面处胞室的方法,包括:
在线式照明在所述多个胞室的至少一部分之上扫描时,沿着光轴捕获经照明胞室的线图,包括使所述线式照明在所述光轴上定心,以致使所述线式照明正交地入射到所述端面上;
从所述线图形成所述胞室的合成图像;以及
从所述合成图像中确定至少一个胞室的至少一个参数。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,还包括为所述多个胞室中的每个确定多个胞室参数。
10.如权利要求8所述的方法,其特征在于,还包括从胞室参数组中选择至少一个胞室参数,且所述胞室参数组包括:胞室角部角度、水平胞室间距、垂直胞室间距、水平壁厚、垂直壁厚、水平壁弓度和垂直壁弓度。
11.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述细胞状陶瓷基底包括外表层,且所述合成图像包括所述外表层的图像,所述方法还包括从所述合成图像中确定外表层厚度变化和外表层形状变化中的至少一种。
12.如权利要求8所述的方法,其特征在于,还包括在使所述线式照明保持稳定的同时,使所述陶瓷基底运动。
13.如权利要求8所述的方法,其特征在于,还包括形成数字线图,使得在相邻扫描路径上获取的所述数字线图部分地交迭。
14.如权利要求8所述的方法,其特征在于,还包括形成参照辐板并且根据所述参照辐板执行对于所述至少一个胞室参数的所述确定。
15.如权利要求8所述的方法,其特征在于,还包括根据所述至少一个胞室参数显示信息
16.一种对具有端面、胞室阵列以及外表层的蜂窝细胞状陶瓷基底进行检查的方法,所述方法包括:
在使所述细胞状陶瓷结构运动的同时,对所述胞室阵列的至少一部分进行正交地照明和数字地成像,以获得所述胞室阵列的所述部分的扫描图像;以及
处理所述扫描图像以确定至少一个胞室的至少一个参数。
17.如权利要求16所述的方法,其特征在于,还包括使所述胞室阵列的所述部分的照明形成为细长线型部分。
18.如权利要求16所述的方法,其特征在于,还包括使所扫描的图像形成为在不同扫描路径部段上获取的扫描图像的合成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于康宁股份有限公司,未经康宁股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080051586.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种井下交变磁场测量装置
- 下一篇:射频集成电路测试系统