[发明专利]用于收集或发射辐射的装置的保护性基片

权利要求书

1.保护性基片(11;111;211)，其用于包含收集或发射辐射的至少一个元件(12;13)的装置(50;60)，该基片包含透明聚合物层(1;101;201)和在聚合物层的至少一个面(1A;101B;201A,201B)上的阻挡层(2;103;202,203)，其特征在于该或各阻挡层(2;103;202,203)由具有交替较低折光指数和较高折光指数和交替较低密度和较高密度二者的至少两个透明薄层(21,22,23,24;131,132;221,222,231,232)的抗反射多层组成，该或各阻挡层(2;103;202,203)的组成多层的各薄层(21,22,23,24;131,132; 221,222,231,232)为氧化物、氮化物或氧氮化物层。

2.权利要求1的基片，其特征在于该或各阻挡层(2;103;202,203)，在其组成多层的各对连续薄层的第一层和第二层之间的界面处，包含具有在第一层的密度和第二层的密度之间的密度梯度的接合区域(20;130;220,230)。

3.权利要求1和2中任一项的基片，其特征在于该或各阻挡层(2;103;202,203)的组成多层的各对连续薄层的较高密度层的密度和较低密度层的密度之差大于或等于较低密度层的密度的10%。

4.前述权利要求中任一项的基片，其特征在于使该或各阻挡层(2;103;202,203)的组成多层的各薄层的几何厚度(e₂₁,e₂₂,e₂₃,e₂₄;e₁₃₁,e₁₃₂;e₂₂₁,e₂₂₂,e₂₃₁,e₂₃₂)适应，以使通过基片(11;111;211)到收集或发射辐射的元件(12;13)或从收集或发射辐射的元件(12;13)通过基片(11;111;211)的辐射透射最大化。

5.前述权利要求中任一项的基片，其特征在于它包含在旨在面对收集或发射辐射的元件(12;13)的聚合物层(1;201)的面(1A;201A)上的阻挡层(2;202)，和/或在旨在面对离开收集或发射辐射的元件(12;13)的另一个方向的聚合物层的面(101B;201B)上的阻挡层(103;203)。

6.前述权利要求中任一项的基片，其特征在于对于该或各阻挡层(2;103;202,203)的组成多层的各对连续薄层，两个连续薄层为相同化学属性，但具有不同化学计量。

7.权利要求6的基片，其特征在于该或各阻挡层(2;103;202,203)的组成多层至少包含在550nm具有1.8和1.9之间的折光指数的氢化氮化硅薄层和在550nm具有1.7和1.8之间的折光指数的氢化氮化硅薄层的叠加。

8.权利要求1至5中任一项的基片，其特征在于对于该或各阻挡层(2;103;202,203)的组成多层的各对连续薄层，两个连续薄层为不同化学属性。

9.收集或发射辐射的装置(50;60)，所述装置包含前述权利要求中任一项的保护性基片(11;111;211)和至少一个收集或发射辐射的元件(12;13)，所述元件(12;13)相对于基片布置，以便能够收集通过聚合物层(1;101;201)和该或各阻挡层(2;103;202,203)的辐射，或者发射辐射通过聚合物层和该或各阻挡层。

10.权利要求9的装置，其特征在于收集或发射辐射的元件为光伏电池(12)或有机发光二极管(13)。

11. 制造权利要求1至8中任一项的保护性基片(11;111;211)的方法，其特征在于该或各阻挡层(2;103;202,203)的组成多层的至少一些薄层通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)和/或通过溅射来沉积。

12.权利要求11的制造方法，其特征在于通过在沉积期间改变沉积室中的压力和/或功率和/或前体的相对比例和/或前体的属性，通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)来沉积该或各阻挡层(2;103;202,203)的组成多层的至少一些薄层。