[发明专利]产生芳族聚酰胺硅酮聚合物的方法

说明书

技术领域

本发明涉及生产包含芳族聚酰胺(aromatic polyamide)(芳族聚酰胺(aramid))部分和聚硅氧烷部分的芳族聚酰胺硅酮聚合物的方法。

要求2009年10月6日递交的日本专利申请第2009-232770号的优先权，其内容通过引用并入。

背景技术

以聚二甲基硅氧烷为代表的硅酮聚合物具有优越的生物相容性、透气特性等，但是具有差的强度。由于该原因，其在需要强的强度的领域中的应用已被限制。另一方面，芳族多胺(芳族聚酰胺)拥有优越的强度，但具有差的生物相容性等。因此，其应用已被限制。

作为克服前述问题的材料，已提出芳族聚酰胺硅酮聚合物。作为生产芳族聚酰胺硅酮聚合物的方法，所谓的“低温溶液缩聚方法”是已知的，在该方法中，在10℃或更低的低温下，使用三乙胺或类似物作为氯化氢捕集剂，使两个末端氨基封端的聚硅氧烷、芳族二胺、芳族二羧酸二氯化物进行缩聚(例如，参见日本未审专利申请，首次公开号为H01-123824；和日本未审专利申请，首次公开号为H03-35059)。

发明内容

技术问题

然而，低温溶液缩聚方法需要高效冷却系统，且必须对有机盐例如三乙胺盐酸盐及类似副产物进行排出处理(disposal treatment)。此外，存在需要大量再沉淀溶剂例如甲醇以回收所产生的芳族聚酰胺硅酮聚合物的问题。因此，低温溶液缩聚方法不适合大量生产芳族聚酰胺硅酮聚合物。

本发明具有提供生产芳族聚酰胺硅酮聚合物的方法的目的，该方法不必须在低温下进行，其中可以很容易地处理副产物，其不需要大量的再沉淀溶剂，且其可适合用于大量生产芳族聚酰胺硅酮聚合物。

技术解决方案

可通过一种用于生产芳族聚酰胺硅酮聚合物的方法实现本发明的前述目的，这种方法的特征是在10℃或更高的温度下，在(D)无机碱存在下，使

(A)在分子链的两个末端各自具有由下式：-B-NH₂表示的基团的两个末端经氨基修饰的二有机聚硅氧烷，其中B表示二价烃基，

(B)芳族二胺，和

(C)芳族二羧酸二卤化物

在(S1)水和(S2)非质子有机溶剂中进行反应。

优选前述反应是界面缩聚。

在本发明的生产芳族聚酰胺硅酮聚合物的方法中，在10℃或更高的温度下，向通过使前述无机碱(D)和前述水(S1)的混合物与前述两个末端经氨基修饰的二有机聚硅氧烷(A)、前述芳族二胺(B)和前述非质子有机溶剂(S2)的混合物合并获得的混合物中加入前述芳族二羧酸二卤化物(C)以使其反应。在这种情况下，前述芳族二羧酸二卤化物(C)优选采用与前述非质子有机溶剂(S2)的混合物形式。

前述两个末端经氨基修饰的二有机聚硅氧烷(A)优选由以下通式表示：

其中B表示二价烃基；A独立地表示单价烃基；且m表示从1至100范围内的整数。优选前述m的范围是从1至20。

优选前述非质子有机溶剂(S2)与水不混溶。

优选前述无机碱(D)选自由碱金属氢氧化物、碱土金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐和碱土金属碳酸盐组成的组的至少一种。

优选前述非质子有机溶剂(S2)选自由基于醚的溶剂、基于卤代烃的溶剂、基于亚砜的溶剂、基于酰胺的溶剂、基于酯的溶剂和基于醚酯的溶剂组成的组的至少一种。

优选前述芳族二胺(B)的重量相对于前述两个末端经氨基修饰的二有机聚硅氧烷(A)和前述芳族二胺(B)的总重量的重量比的范围是从0.01至0.6。

优选前述两个末端经氨基修饰的二有机聚硅氧烷(A)和前述芳族二胺(B)的总摩尔数相对于前述芳族二羧酸二卤化物(C)的摩尔数的摩尔比的范围是从0.8至1.2。

优选前述无机碱(D)的当量(equivalent weight)相对于前述芳族二羧酸二卤化物(C)的当量的比的范围是从1至2。

前述水(S1)与前述非质子有机溶剂(S2)的重量比的范围是从1∶10至10∶1。

有益效果

在本发明的生产芳族聚酰胺硅酮聚合物的方法中，不必须在低温下实施该方法，且由于该原因，冷却系统是不必要的。另外，在本发明的生产芳族聚酰胺硅酮聚合物的方法中，产生了副产物包括卤素，但前述副产物仅是无机盐。因此，其处理比有机盐的处理更容易。另外，在本发明的生产芳族聚酰胺硅酮聚合物的方法中，未使用大量的再沉淀溶剂例如甲醇或类似物。