[发明专利]处理基片的方法和装置

权利要求书

1.用于清洗基片的至少部分区域的方法，所述方法包括以下步骤：

将液体施加到所述基片的至少部分区域；

在液体施加到基片前，通过UV辐射在所述液体中产生自由基，其中在产生所述自由基之后立即将液体施加到基片，使得至少一部分自由基到达基片。

2.权利要求1的方法，其中施加到基片的液体在基片上形成液体膜，向液体膜中引入UV辐射，以保持自由基在所述液体膜中活化和/或产生进一步的自由基。

3.权利要求2的方法，其中，在液体施加到基片前引入液体中和引入所述基片上液体膜中的所述UV辐射至少部分通过相同辐射源发射。

4.前述权利要求中任一项的方法，其中包含自由基的液体限于基片经选择的表面区域。

5.前述权利要求中任一项的方法，其中为了产生自由基，使用基本具有140nm至280nm范围波长的UV辐射，取决于液体在140nm至200nm之间，其中至少50％该UV辐射吸收在液体中用于产生自由基。

6.权利要求5的方法，其中吸收至少80％具有140至280nm范围波长的UV辐射，取决于液体在140nm至200nm之间。

7.权利要求5或6的方法，其中通过将所用液体匹配在以上所述范围的所用波长达到吸收。

8.前述权利要求中任一项的方法，其中在施加液体前，在液体沿着UV辐射源流动的同时，将UV辐射引入液体中。

9.权利要求8的方法，其中选择UV辐射以便破坏液体的分子结构，以避免与基片表面的不期望反应，和/或还能够通过UV辐射随后立即产生自由基。

10.前述权利要求中任一项的方法，其中用至少一种下列物质作为液体：臭氧水、氢水、DI水、H₂O₂、CO₂-H₂O、其中具有溶解O₂气的DI水、NH₄OH、乙酸、柠檬酸、TMAH、HNO₃、HCl、H₂SO₄、H₃PO₄或其混合物。

11.前述权利要求中任一项的方法，其中所述基片为下列之一：掩模，特别是用于制造半导体的光掩模；半导体，特别是Si-晶片、Ge-晶片、GaAs-晶片或InP-晶片；平板基片；多层陶瓷基片。

12.前述权利要求中任一项的方法，其中借助于自由基从基片至少部分去除至少一种以下物质：有机污染物；和有机官能层，如正性抗蚀剂、负性抗蚀剂和离子植入抗蚀剂；碳；烃；压花和压印物质；应力缓冲剂和底层填料；漆；染料；生物材料；和细菌。

13.前述权利要求中任一项的方法，其中液体施加到基片的局部待清洗区域。

14.用于从基片表面的至少部分区域和所述基片的近表面层去除离子的方法，所述方法包括以下步骤：

将加热高于环境温度的液体施加到所述基片上，以在所述基片的至少部分区域上形成液体膜；和

将电磁辐射引入所述液体膜，使得至少一部分所述辐射到达所述基片的表面。

15.权利要求14的方法，其中在液体施加到基片期间通过电磁辐射加热液体。

16.权利要求14或15的方法，其中在液体暴露于电磁辐射之前预热液体。

17.权利要求14至16中任一项的方法，其中将液体加热到环境温度和液体沸点之间范围的温度。

18.权利要求14至17中任一项的方法，其中方法在增压下进行。

19.权利要求14至18中任一项的方法，其中用至少一种下列物质作为液体：臭氧水、氢水、DI水、H₂O₂、CO₂-H₂O、其中具有溶解O₂气的DI水或其混合物。

20.权利要求14至19中任一项的方法，其中UV辐射引入液体膜。