[发明专利]触摸屏及触摸屏的驱动方法有效
申请号: | 201080050356.6 | 申请日: | 2010-10-15 |
公开(公告)号: | CN102597930A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 黑川义元;池田隆之;田村辉;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G02F1/1333;G02F1/1343;G02F1/1368;G09F9/00;G09F9/30 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 钱孟清 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 触摸屏 驱动 方法 | ||
1.一种触摸屏,包括:
包括显示元件及光电传感器的像素,
其中所述光电传感器包括彼此电连接的光电二极管及第一晶体管,以及
其中所述第一晶体管包括形成有沟道形成区的氧化物半导体层。
2.根据权利要求1所述的触摸屏,其特征在于,
所述光电传感器还包括第二晶体管,
所述光电二极管电连接到所述第一晶体管的栅极,
所述第一晶体管的第一端子电连接到所述第二晶体管的第一端子,以及
所述第二晶体管包括形成有沟道形成区的氧化物半导体层。
3.根据权利要求1所述的触摸屏,其特征在于,所述第一晶体管的所述氧化物半导体层包含铟、镓及锌。
4.根据权利要求2所述的触摸屏,其特征在于,所述第二晶体管的所述氧化物半导体层包含铟、镓及锌。
5.根据权利要求1所述的触摸屏,其特征在于,所述第一晶体管的所述氧化物半导体层的氢浓度是小于或等于5×1019/cm3。
6.根据权利要求2所述的触摸屏,其特征在于,所述第二晶体管的所述氧化物半导体层的氢浓度是小于或等于5×1019/cm3。
7.根据权利要求1所述的触摸屏,其特征在于,所述显示元件选自液晶元件及发光二极管。
8.根据权利要求2所述的触摸屏,其特征在于,所述光电传感器还包括:
第一信号线;
第二信号线;
第三信号线;以及
第四信号线,
所述第一信号线电连接到所述光电二极管,
所述第二信号线电连接到所述第二晶体管的第二端子,
所述第三信号线电连接到所述第二晶体管的栅极,以及
所述第四信号线电连接到所述第一晶体管的第二端子。
9.一种包括多个像素的触摸屏的驱动方法,其特征在于,
所述多个像素排列为具有多个行的矩阵状,
所述多个像素中的至少一个包括显示元件及光电传感器,
所述光电传感器包括彼此电连接的光电二极管及第一晶体管,以及
所述第一晶体管包括形成有沟道形成区的氧化物半导体层,
所述驱动方法包括对所述多个行的每一行依次进行重置操作、累加操作及选择操作的步骤,
其中,同时进行所述多个行中的一行的所述重置操作及所述多个行中的另一行的所述选择操作。
10.根据权利要求9所述的驱动方法,其特征在于,所述第一晶体管的所述氧化物半导体层包含铟、镓及锌。
11.根据权利要求9所述的驱动方法,其特征在于,所述光电二极管电连接到所述第一晶体管的栅极,
所述光电传感器还包括:
电连接到所述光电二极管的第一信号线;
其第一端子电连接到所述第一晶体管的第一端子的第二晶体管;
电连接到所述第二晶体管的第二端子的第二信号线,
所述第二晶体管包括形成有沟道形成区的氧化物半导体层,以及
所述重置操作包括以下步骤:
将所述第一信号线的电位设定为第一电位以使将正向偏压施加到所述光电二极管;以及
对所述第二信号线进行预充电。
12.根据权利要求11所述的驱动方法,其特征在于,所述第二晶体管的所述氧化物半导体层包含铟、镓及锌。
13.根据权利要求11所述的驱动方法,其特征在于,所述累加操作包括将所述第一信号线的所述电位设定为第二电位来允许所述第一晶体管的所述栅极的电位降低的步骤。
14.根据权利要求11所述的驱动方法,其特征在于,所述光电传感器还包括电连接到所述第二晶体管的栅极的第三信号线,
所述选择操作包括将所述第三信号线的电位设定为第三电位以使所述第二晶体管处于导通状态的步骤,在该步骤之后进行将所述第三信号线的所述电位设定为第四电位以使所述第二晶体管处于截止状态的步骤。
15.根据权利要求9所述的驱动方法,其特征在于,所述第一晶体管的所述氧化物半导体层的氢浓度是小于或等于5×1019/cm3。
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