[发明专利]MOFET的掩模层级减少

权利要求书

1.一种以减少的掩模操作制作用于有源矩阵显示器的薄膜晶体管的方法，所述方法包括步骤：

提供具有表面的衬底；

在所述衬底的表面上构图栅极金属，以限定薄膜晶体管栅极；

在所述栅极和周边的衬底表面上方形成栅极电介质的层；

在所述栅极电介质的层上沉积半导体金属氧化物的层；

在叠盖所述栅极的所述半导体金属氧化物上构图沟道保护层，所述沟道保护层被构图以在所述栅极上方的所述半导体金属氧化物中限定沟道区，并暴露剩余的半导体金属氧化物；

在所述沟道保护层和暴露的半导体金属氧化物上，沉积至少源极/漏极金属层；

在单一的蚀刻步骤中，蚀刻穿过在所述栅极上方的所述源极/漏极金属层直到所述沟道保护层，以将所述源极/漏极金属层分开为薄膜晶体管源极端子和漏极端子，并蚀刻穿过在外围的所述源极/漏极金属层和所述半导体金属氧化物，以隔绝所述薄膜晶体管；和

在隔绝的薄膜晶体管和围绕源极/漏极金属层的部分上沉积构图的非导电间隔物层。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括利用所述间隔物层作为掩模蚀刻所述源极/漏极金属层的步骤，以限定与所述薄膜晶体管相邻的光透射区、并暴露所述光透射区中的透明电极。

3.根据权利要求1所述的方法，其中制作所述薄膜晶体管包括制作有源矩阵显示器中的多个薄膜晶体管，所述有源矩阵显示器包括数据线和扫描线的矩阵，所述栅极金属连接到所述扫描线中的一条，并且所述源极/漏极金属连接到所述数据线中的一条。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述光透射区中的所述透明电极是所述有源矩阵显示器中的发光器件的电极。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述发光器件包括液晶发光器件（LCD）和有机发光器件（OLED）中的一种。

6.根据权利要求4所述的方法，其中定位所述间隔物层以使所述衬底和形成在所述衬底上的相关构件与所述有源矩阵显示器中的相邻的衬底成形分开。

7.根据权利要求1所述的方法，其中沉积至少源极/漏极金属层的步骤包括：在沉积所述源极/漏极金属层之前，在所述沟道保护层和所述暴露的半导体金属氧化物上沉积透明氧化物的层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中沉积至少源极/漏极金属层的步骤包括在所述透明氧化物的层上沉积阻挡金属层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中沉积所述阻挡金属层的步骤包括沉积Mo、W、Cr和Ni中的一种。

10.一种制作有源矩阵显示器中的薄膜晶体管矩阵的方法，所述有源矩阵显示器包括数据线和扫描线的矩阵，所述方法包括步骤：

提供具有表面的衬底；

在所述衬底的表面上构图栅极金属，以限定所述矩阵的每个薄膜晶体管的栅极，并且将所述矩阵的每个薄膜晶体管的所述栅极连接到所选择的扫描线；

在所述栅极中的每一个和周边的衬底表面上方形成栅极电介质的层；

在所述栅极电介质的层上沉积半导体金属氧化物的层；

在叠盖每个栅极的所述半导体金属氧化物上构图沟道保护层，所述沟道保护层被构图以在每个栅极上方的所述半导体金属氧化物中限定沟道区、并暴露剩余的半导体金属氧化物；

在所述沟道保护层和暴露的半导体金属氧化物上，沉积至少源极/漏极金属层；

在单一的蚀刻步骤中，蚀刻穿过在每个栅极上方的所述源极/漏极金属层直到所述沟道保护层，以将所述源极/漏极金属层分开为薄膜晶体管源极端子和漏极端子，并蚀刻穿过在外围的所述源极/漏极金属层和所述半导体金属氧化物，以隔绝所述矩阵的每个薄膜晶体管，并将所述源极/漏极端子中的每一个连接到所述数据线中的一条；和

在隔绝的薄膜晶体管和周边的源极/漏极金属层的部分上沉积构图的非导电间隔物层。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括利用所述间隔物层作为掩模蚀刻所述源极/漏极金属层的步骤，以限定与所述薄膜晶体管相邻的光透射区、并暴露所述光透射区中的透明电极。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述光透射区中的所述透明电极是所述有源矩阵显示器中的发光器件的电极。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述发光器件包括液晶发光器件（LCD）和有机发光器件（OLED）中的一种。