[发明专利]用于光学调制与微成型的可变形铁磁性流体层器件有效
| 申请号: | 201080050064.2 | 申请日: | 2010-11-08 |
| 公开(公告)号: | CN102597846A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
| 发明(设计)人: | T·P·兰普雷克特;T·E·莫尔夫;J·R·韦斯 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
| 主分类号: | G02B26/02 | 分类号: | G02B26/02;G02B26/08;G02F1/01;G09F9/37;G02B3/00;B29D11/00;B29C33/00 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅;边海梅 |
| 地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 光学 调制 成型 变形 铁磁性 流体 器件 | ||
1.一种器件(10、10a-10d),包括:
片上电路(110-160、170、180)的集合,所述电路中的每个电路被配置成在被激励时产生垂直于所述集合的平面型表面的磁场(300);
铁磁性流体层(40),其与所述平面型表面接合;以及
逻辑电路(50),被配置成选择性激励(200、200a)所述集合中的一个或多个电路,以便:
在被激励的电路处产生磁场;
响应于所述磁场,引起所述铁磁性流体层的变形(44、45);以及
调制指向所述铁磁性流体层的光束(IR1、IR2)。
2.根据权利要求1所述的器件,其中所述片上电路的每个电路均被构造为CMOS电路(20、110-160)。
3.根据权利要求1或2所述的器件,还包括附加的液体层(60),所述附加的液体层(60)在所述片上电路的对面与所述铁磁性流体层接合,所述附加的液体层与所述铁磁性流体层不可混溶。
4.根据权利要求3所述的器件,其中所述附加的液体层(60)是透明的缓冲液体层(60)或成型膜(60)。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的器件,还包括覆盖层(70、75),所述覆盖层(70、75)在所述片上电路的对面覆盖在所述器件中的任何其它层。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的器件,还包括一个或多个分离体层(80、80a),该分离体层与在所述器件中的任何层接合。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的器件(10a),还被配置成(L)捕获从所述铁磁性流体层的给定部分反射的光束(RR2)并且将其重定向。
8.一种微显示和/或投影器件(10a、D),其包括权利要求7所述的器件(10a)。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的器件,其中所述逻辑电路被配置成动态地激励所述电路的一个或多个电路。
10.根据权利要求1至6中任一项所述的器件(10b),被配置成可编程光学反射透镜(10a)。
11.一种成型方法,包括如下步骤:
提供(S10、S12或S 14)权利要求1至4中任一项所述的器件,所述器件包括可固化的至少一个液体层(60),在激励所述片上电路时所述液体层(60)可变形;
激励(S16)所述片上电路,以获得在所述铁磁性流体层中的变形的期望图案;
在所述铁磁性流体层变形时通过使所述可固化层固化来使所述可固化层成型(S16);以及
移除(S18)已固化层。
12.根据权利要求11所述的制造方法,其中为所述器件提供的所述可固化层在所述片上电路的对面与所述铁磁性流体层接合(S10、S12或S14),所述可固化层优选地为可用于表面复制的成型膜(60)。
13.根据权利要求11或12所述的制造方法,其中所提供的器件还包括释放层(80),所述释放层(80)与所述可固化层接合以便易于移除所述已固化层。
14.根据权利要求12或13所述的制造方法,还包括如下步骤:
提供与所述铁磁性流体层接合的另一可固化层(60);以及
重复激励和使所述另一可固化层成型的步骤(S16)以及移除(S18)所述已固化层的步骤。
15.一种已固化层,其根据权利要求11至14中任一项所述的方法成型。
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