[发明专利]用于形成低温多晶硅膜的装置和方法有效

专利信息
申请号: 201080050013.X 申请日: 2010-10-14
公开(公告)号: CN102714149A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 梶山康一;滨野邦幸;水村通伸 申请(专利权)人: 株式会社V技术
主分类号: H01L21/268 分类号: H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 林毅斌;林森
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 用于 形成 低温 多晶 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种用于形成低温多晶硅膜的装置,所述装置包括:

一维或二维排列的多个微透镜;

激光产生源;

光导部分,用于将激光从激光产生源引导至所述微透镜,以通过所述微透镜将所述激光在非晶态硅膜上聚光;和

为每一个微透镜排列的多个掩模,

其中用于透射所述激光的多个透射区和用于阻断所述激光的多个阻光区在所述掩模上为二维排列,并且在一个方向交替布置,使得透射区彼此不相邻且阻光区彼此不相邻。

2.权利要求1的用于形成低温多晶硅膜的装置,其中所述透射区和所述阻光区为矩形;并且所述掩模的透射区和阻光区以格栅形式排列。

3.一种用于形成低温多晶硅膜的装置,所述装置包括:

一维或二维排列的多个微透镜;

激光产生源;

光导部分,用于将激光从激光产生源引导至所述微透镜,以通过所述微透镜将所述激光在非晶态硅膜上聚光;和

在每一个所述微透镜上排列的多个掩模,

其中所述掩模以某一排列形成,使得用于透射所述激光的多个点形透射区在用于阻断所述激光的阻光区内二维散布。

4.一种用于形成低温多晶硅膜的装置,所述装置包括:

一维或二维排列的多个微透镜;

激光产生源;

光导部分,用于将激光从激光产生源引导至所述微透镜,以通过所述微透镜将激光在非晶态硅膜上聚光;和

为每一个微透镜排列的多个掩模,

其中用于透射所述激光的多个透射区在掩模上二维排列,并且透射区通过用于阻断所述激光的阻光区隔开。

5.一种用于形成低温多晶硅膜的装置,所述装置包括:

一维或二维排列的多个微透镜;

激光产生源;

光导部分,用于将激光从激光产生源引导至所述微透镜,以通过所述微透镜将所述激光在非晶态硅膜上聚光;和

为每一个微透镜排列的多个掩模,

其中将掩模支撑,使得用于阻断所述激光的多个点形阻光区相对于用于透射所述激光的透射构件二维排列。

6.权利要求1-5中任一项的用于形成低温多晶硅膜的装置,其中为待形成的单个晶体管提供所述微透镜。

7.一种用于形成低温多晶硅膜的方法,所述方法使用权利要求1-4中任一项的用于形成低温多晶硅膜的装置,所述方法包括以下步骤:

使用所述微透镜,经由所述掩模,将激光第一次引导到非晶态硅膜上;和

随后,使用所述微透镜,但是不使用所述掩模,将激光第二次引导到非晶态硅膜上。

8.权利要求7的用于形成低温多晶硅膜的方法,其中在第一次引导中和在第二次引导中由所述激光源发射激光的条件相同。

9.一种用于形成低温多晶硅膜的方法,所述方法使用权利要求5的用于形成低温多晶硅膜的装置,所述方法包括:

使用所述微透镜,经由所述掩模,将激光引导到非晶态硅膜上的步骤。

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