[发明专利]N型硫属化物组合物的制备以及它们在光伏器件中的使用有效
| 申请号: | 201080049999.9 | 申请日: | 2010-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN102598312A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
| 发明(设计)人: | 托德·R·布里登;巴福德·I·莱蒙;约瑟夫·乔治;丽贝卡·克里斯汀-里格曼·费斯特 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 型硫属化物 组合 制备 以及 它们 器件 中的 使用 | ||
1.一种制备n型硫属化物组合物的方法,所述方法包括以下步骤:
提供基板;和
在包含氧化性气体以及任选地至少一种其他气体的氧化性气氛中,在所述基板的表面上形成n型硫属化物组合物,其中所述氧化性气体以使得如下的量存在:所形成的n型组合物的电阻率低于在其他方面相同的工艺中但是在基本上不存在所述氧化性气体的情况下形成的n型硫属化物组合物的电阻率。
2.权利要求1所述的方法,其中在低于约100毫托的压力,所述氧化性气氛包含约0.001摩尔%至约0.7摩尔%的所述氧化性气体。
3.根据在前权利要求中的任一项所述的方法,其中所述氧化性气氛处于约5至约20毫托的范围内的压力。
4.根据在前权利要求中的任一项所述的方法,其中所述氧化性气氛包含约0.05摩尔%至约0.3摩尔%的所述氧化性气体。
5.根据在前权利要求中的任一项所述的方法,其中在所述氧化性气氛中所述氧化性气体的分压低于约0.5毫托。
6.根据在前权利要求中的任一项所述的方法,其中所述氧化性气体选自氧、水蒸气、一氧化二氮以及臭氧。
7.根据在前权利要求中的任一项所述的方法,其中所述n型硫属化物组合物包含至少一种硫化物和/或至少一种硒化物,所述至少一种硫化物和/或至少一种硒化物至少结合有镉,以及任选地,一种以上选自Zn、In以及它们的组合中的成分。
8.根据在前权利要求中的任一项所述的方法,其中所述至少一种其他气体选自氮、稀有气体以及它们的组合。
9.根据在前权利要求中的任一项所述的方法,其中所述n型硫属化物组合物结合有镉和硫。
10.根据在前权利要求中的任一项所述的方法,其中;
所述基板包括p型光伏组合物;并且
所述n型硫属化物组合物与所述p型光伏组合物的表面电连接。
11.根据在前权利要求中的任一项所述的方法,其中所述n型硫属化物组合物通过溅射形成。
12.一种光伏制品,所述光伏制品包括:
基板,所述基板具有p型光伏组合物;和
结合至所述基板中的n型硫属化物组合物的层,所述n型硫属化物组合物在包含氧化性气体以及任选地至少一种其他气体的氧化性气氛中形成,其中所述氧化性气体以使得如下的量存在:所形成的n型组合物的电阻率低于在其他方面相同的工艺中但是在基本上不存在所述氧化性气体的情况下形成的n型硫属化物组合物的电阻率。
13.权利要求12所述的制品,其中所述n型硫属化物包括至少一种硫化物和/或至少一种硒化物,所述至少一种硫化物和/或至少一种硒化物至少结合有镉,以及任选地,一种以上选自Zn、In以及它们的组合中的成分。
14.权利要求12或13所述的制品,其中所述n型硫属化物组合物具有低于约1×105欧姆-cm的电阻率。
15.一种制品,所述制品通过权利要求1-11中的任一项所述的方法制备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





