[发明专利]使用外延剥离制备柔性光伏器件以及保持在外延生长中使用的生长基板的完整性的方法

权利要求书

1.一种保持生长基板的完整性的方法，包括：

提供结构，所述结构具有：具有至少一个生长表面的生长基板；电池；牺牲层；第一保护层；和第二保护层，其中所述牺牲层以及所述第一和第二保护层位于所述生长基板和所述电池之间；

通过利用蚀刻剂蚀刻所述牺牲层来释放所述电池；

通过利用蚀刻剂蚀刻所述第二保护层来移除所述第二保护层；以及

通过利用蚀刻剂蚀刻所述第一保护层来移除所述第一保护层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一保护层位于所述生长基板之上，所述第二保护层位于所述第一保护层之上，并且所述牺牲层位于所述第二保护层之上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述生长基板和所述第二保护层包括相同的材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述生长基板包括单晶晶片材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述生长基板选自Ge、Si、GaAs、InP、GaSb、GaN、AlN及其组合。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述相同的材料包括InP。

7.根据权利要求3所述的方法，其中所述相同的材料包括GaAs。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一保护层选自InGaAs、InAlAs、(AlGa)AsSb及其组合。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一保护层选自InGaP、AlGaAs、InAlP及其组合。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层包括AlAs。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层包括超晶格。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述超晶格包括InAs/AlAs。

13.根据权利要求1所述的方法，其中每种蚀刻剂独立地选自HF、H₃PO₄、HCl、H₂SO₄、HNO₃、C₆H₈O₇(柠檬酸)、H₂O₂及其组合。

14.根据权利要求13所述的方法，其中用于释放所述电池的所述蚀刻剂包括HF。

15.根据权利要求6所述的方法，其中用于移除所述第二保护层的所述蚀刻剂包括HCl∶H₃PO₄。

16.根据权利要求7所述的方法，其中用于移除所述第二保护层的所述蚀刻剂包括H₂SO₄∶H₂O₂。

17.根据权利要求8所述的方法，其中用于移除所述第一保护层的所述蚀刻剂选自H₂SO₄∶H₂O₂、C₆H₈O₇∶H₂O₂、H₂PO₄∶H₂O₂及其组合。

18.根据权利要求9所述的方法，其中用于移除所述第一保护层的所述蚀刻剂包括HCl∶H₃PO₄。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构进一步包括位于所述电池和所述生长基板之间的缓冲层。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述缓冲层位于所述生长基板和所述第一保护层之间。

21.根据权利要求19所述的方法，其中所述生长基板、所述缓冲层和所述第二保护层包括相同的材料。

22.根据权利要求21所述的方法，其中所述相同的材料包括InP。