[发明专利]在多个表面上由在低温水性溶液中生长的氧化锌层覆盖的高亮度发光二极管

权利要求书

1.一种光电子装置，其包括：

III-氮化物发光二极管LED，其中所述LED的多个透光表面由一个或一个以上氧化锌ZnO层覆盖。

2.根据权利要求1所述的装置，其中由所述ZnO层覆盖的所述透光表面中的一者或一者以上与p-型III-氮化物c-平面表面不同。

3.根据权利要求1所述的装置，其中由所述ZnO层覆盖的所述透光表面中的一者或一者以上包含至少一个III-氮化物半极性或非极性表面。

4.根据权利要求1所述的装置，其中由所述ZnO层覆盖的所述透光表面中的一者或一者以上包含至少一个并非III-氮化物表面的表面。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述ZnO层中的一者或一者以上包含至少一个覆盖所述LED的III-氮化物表面的外延ZnO层。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述ZnO层中的一者或一者以上包含一个或一个以上具有优先晶粒织构的多晶ZnO层，从而使得平均来说，所述多晶ZnO层中的ZnO晶体以其[0001]c-方向垂直于所述经覆盖透光表面来定向。

7.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述ZnO层中的一者或一者以上包含一个或一个以上覆盖所述LED的一个或一个以上III-氮化物表面的外延ZnO层，且

所述ZnO层中的一者或一者以上包含一个或一个以上具有优先晶粒织构的多晶ZnO层，从而使得平均来说，所述多晶ZnO层中的ZnO晶体以其[0001]c-方向垂直于所述经覆盖透光表面来定向。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述III-氮化物LED为在异质外延衬底上生长的常规LED。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述III-氮化物LED为在块状GaN衬底上生长的同质外延LED。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述III-氮化物LED为横向(台面)构造型装置。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述III-氮化物LED为垂直构造型装置。

12.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置的p-型III-氮化物表面为透光表面且由所述ZnO层中的至少一者覆盖。

13.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置的p-型III-氮化物表面并非透光表面且由反射性p-接触层覆盖。

14.根据权利要求1所述的装置，其中以增加来自所述LED的光提取的方式对所述ZnO层中的一者或一者以上实施粗糙化。

15.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括：

III-氮化物n-型层；

III-氮化物p-型层；

III-氮化物有源层，其用于发光且位于所述n-型层与所述p-型层之间，其中：

(1)多个透光表面，其中所述透光表面包含所述LED的底部表面、所述LED的侧壁和所述LED的顶部表面，且

(2)所述ZnO层中的至少一者位于所述透光表面中的每一者上且所述ZnO层增加了来自所述LED的光提取。

16.一种制造具有改良光提取效率的基于III-氮化物的发光二极管LED的方法，其包括：

在基于III-氮化物的LED的一个或一个以上透光表面上生长或合成一个或一个以上氧化锌ZnO层，其中所述层是在至少一个与所述LED的p-型III-氮化物c-平面表面不同的透光表面上生长。

17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括借助涉及溶解Zn(II)的化学反应从含有溶解Zn(II)的水性溶液生长所述ZnO层，其中所述ZnO层形成于与所述水性溶液接触的所述透光表面上。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述水性溶液的最大温度小于所述水性溶液的沸点。

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述水性溶液中的所述溶解Zn(II)是通过溶解Zn(II)的水溶性盐来供应。

20.根据权利要求17所述的方法，其中所述水性溶液中的所述溶解Zn(II)是通过溶解ZnO来供应。