[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电型的第一半导体层；

设置在所述第一半导体层的一个主表面上且杂质浓度大于所述第一半导体层的第二导电型的第二半导体层；

设置在所述第一半导体层的另一主表面上且杂质浓度大于所述第一半导体层的第一导电型的第三半导体层；以及

设置在所述第一半导体层中且杂质浓度大于所述第一半导体层、并且杂质浓度分布的局部最大值小于所述第二半导体层和所述第三半导体层的杂质浓度的第一导电型的宽缓冲区，

其中所述宽缓冲区的净掺杂浓度的总量大于或等于4.8×10¹¹原子/cm²且小于或等于1.0×10¹²原子/cm²，并且

其中所述第一半导体层的电阻率ρ₀(Ωcm)相对于额定电压V₀(V)满足0.12V₀≤ρ₀≤0.25V₀。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述宽缓冲区的净掺杂浓度总量大于或等于5.2×10¹¹原子/cm²且小于或等于1.0×10¹²原子/cm²，并且

所述第一半导体层的电阻率ρ₀相对于所述额定电压V₀(V)满足0.133V₀≤ρ₀≤0.25V₀。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

多个宽缓冲区设置在所述第一半导体层中。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

所述多个宽缓冲区的宽度之和与所述第一半导体层的宽度的比率γ、当施加了电平与击穿电压相等的反向偏压时的所述多个宽缓冲区的电场强度的下降之和与临界电场强度的比率η、以及形成所述第一半导体层的衬底的供体浓度的测量值与标准值的偏移比α满足4α(γ/η)/[(2-α)(2+α)]＜α。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一半导体层是FZ硅衬底。

6.一种半导体器件，包括：

第一导电型的漂移层；

设置在所述漂移层的第一主表面上且杂质浓度大于所述漂移层的第二导电型的基极层；

设置在所述漂移层的所述第一主表面上以与所述基极层接触且杂质浓度大于所述基极层的第一导电型的发射极层；

与所述漂移层、所述基极层、以及所述发射极层接触的绝缘膜；

隔着所述绝缘膜与所述漂移层、所述基极层、以及所述发射极层相邻的栅电极；

设置在所述漂移层的第二主表面上且杂质浓度大于所述漂移层的第二导电型的集电极层；以及

设置在所述漂移层中且杂质浓度大于所述漂移层、并且杂质浓度分布的局部最大值小于所述基极层和所述集电极层的第一导电型的宽缓冲区，

其中所述宽缓冲区的净掺杂浓度总量大于或等于4.8×10¹¹原子/cm²且小于或等于1.0×10¹²原子/cm²，并且

其中所述漂移层的电阻率ρ₀(Ωcm)相对于额定电压V₀(V)满足0.12V₀≤ρ₀≤0.25V₀。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述宽缓冲区的净掺杂浓度总量大于或等于5.2×10¹¹原子/cm²且小于或等于1.0×10¹²原子/cm²，并且

所述漂移层的电阻率ρ₀相对于所述额定电压V₀(V)满足0.133V₀≤ρ₀≤0.25V₀。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

多个宽缓冲区设置在所述漂移层中。