[发明专利]液晶显示器件及包括该液晶显示器件的电子设备

权利要求书

1.一种液晶显示器件，包括：

薄膜晶体管；以及

连接到所述薄膜晶体管的液晶元件，

其中所述薄膜晶体管包括氧化物半导体层，

其中所述液晶元件设置在像素中，以及

其中在所述像素中不形成辅助电容器。

2.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述薄膜晶体管的截止电流是小于或等于1×10^-13A。

3.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述氧化物半导体层具有小于或等于5×10¹⁹/cm³的氢浓度及小于或等于5×10¹⁴/cm³的载流子浓度。

4.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述液晶元件设置在所述像素所包括的子像素中。

5.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

栅电极；

设置成与所述栅电极重叠的栅极绝缘层；以及

设置成与所述氧化物半导体层的一部分重叠的源电极及漏电极，

其中所述氧化物半导体层设置成隔着所述栅极绝缘层与所述栅电极重叠。

6.一种包括根据权利要求1所述的液晶显示器件的电子设备。

7.一种液晶显示器件，包括：

薄膜晶体管；以及

连接到所述薄膜晶体管的液晶元件，

其中所述薄膜晶体管包括氧化物半导体层，

其中所述液晶元件设置在像素中，以及

其中在所述像素中所述薄膜晶体管及所述液晶元件与辅助电容器分离。

8.根据权利要求7所述的液晶显示器件，其特征在于，所述薄膜晶体管的截止电流是小于或等于1×10^-13A。

9.根据权利要求7所述的液晶显示器件，其特征在于，所述氧化物半导体层具有小于或等于5×10¹⁹/cm³的氢浓度及小于或等于5×10¹⁴/cm³的载流子浓度。

10.根据权利要求7所述的液晶显示器件，其特征在于，所述液晶元件设置在所述像素所包括的子像素中。

11.根据权利要求7所述的液晶显示器件，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

栅电极；

设置成与所述栅电极重叠的栅极绝缘层；以及

设置成与所述氧化物半导体层的一部分重叠的源电极及漏电极，

其中所述氧化物半导体层设置成隔着所述栅极绝缘层与所述栅电极重叠。

12.一种包括根据权利要求7所述的液晶显示器件的电子设备。

13.一种液晶显示器件，包括：

薄膜晶体管；以及

通过无分支的一条布线连接到所述薄膜晶体管的液晶元件，

其中所述液晶元件设置在像素中，以及

其中所述薄膜晶体管包括氧化物半导体层。

14.根据权利要求13所述的液晶显示器件，其特征在于，所述薄膜晶体管的截止电流是小于或等于1×10^-13A。

15.根据权利要求13所述的液晶显示器件，其特征在于，所述氧化物半导体层具有小于或等于5×10¹⁹/cm³的氢浓度及小于或等于5×10¹⁴/cm³的载流子浓度。

16.根据权利要求13所述的液晶显示器件，其特征在于，所述液晶元件设置在所述像素所包括的子像素中。

17.根据权利要求13所述的液晶显示器件，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

栅电极；

设置成与所述栅电极重叠的栅极绝缘层；以及

设置成与所述氧化物半导体层的一部分重叠的源电极及漏电极，

其中所述氧化物半导体层设置成隔着所述栅极绝缘层与所述栅电极重叠。

18.一种包括根据权利要求13所述的液晶显示器件的电子设备。