[发明专利]通过写入后读取和适应性重写来管理错误的非易失性存储器和方法有效
| 申请号: | 201080049027.X | 申请日: | 2010-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN102667945A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
| 发明(设计)人: | G.A.杜西加;陈健;C.阿维拉;J.黄;L.M.加文斯 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56;G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄小临 |
| 地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 通过 写入 读取 适应性 重写 管理 错误 非易失性存储器 方法 | ||
1.一种操作非易失性存储器的方法,包括:
提供用于校正当非易失性存储器通过使用而老化时易于产生的错误的错误管理;
提供通过非易失性存储器经历的编程/擦除循环的数量对非易失性存储器的年龄的测量;以及
仅当非易失性存储器达到了预定年龄时才开始所述错误管理。
2.根据权利要求1的方法,其中:
所述非易失性存储器被组织为存储器单元的块,每块的存储器单元可一起被擦除;以及
所述提供非易失性存储器的年龄的测量是通过跟踪一个块经历的编程/擦除循环的数量。
3.根据权利要求2的方法,其中:
非易失性存储器的预定年龄由一个块经历的编程/擦除循环的预定数量给出。
4.根据权利要求1的方法,还包括:
将所述存储器配置为第一和第二部分,第一部分具有以比第二部分更少的错误率但更低密度的存储来操作的存储器单元;
将输入数据编程到第一部分中;
随后,复制该数据以在第二部分中创建副本;以及
其中,错误校正管理还包括:
(a)检查所述副本的错误;
(b)取决于错误是否少于预定数量的错误位,将所述副本标识为有效或无效数据;
(c)当所述副本被标识为无效时,重复复制到第二部分中的另一位置,且重复步骤(a)到(c)达预定次数。
5.根据权利要求4的方法,其中,通过与所述副本相关的ECC来检查所述副本的错误。
6.根据权利要求4的方法,其中:
所述存储器被进一步组织为多个擦除块,每个块中的存储器单元可一起被擦除;以及
逐块进行所述复制和检查。
7.根据权利要求4的方法,其中:
所述第一部分具有每个存储1位数据的存储器单元;
所述第二部分具有每个存储n位数据的存储器单元,且n>1。
8.根据权利要求4的方法,其中,所述错误管理还包括:
当第二部分中的副本被标识为无效时,将在第一部分中的与第二部分中的该副本对应的数据标识为有效。
9.根据权利要求4的方法,其中,所述错误管理还包括:
当第二部分中的副本被标识为有效时,将在第一部分中的与第二部分中的该副本对应的数据标识为无效。
10.根据权利要求1到9中的任一个的方法,其中,所述非易失性存储器是快闪EEPROM。
11.一种非易失性存储器,包括:
错误管理,用于校正当非易失性存储器通过使用而老化时易于产生的错误;
通过非易失性存储器经历的编程/擦除循环的数量对非易失性存储器的年龄的测量;以及其中
仅当非易失性存储器达到了预定年龄时才开始所述错误管理。
12.根据权利要求11的非易失性存储器,其中:
所述非易失性存储器被组织为存储器单元的块,每块的存储器单元可一起被擦除;以及
所述对非易失性存储器的年龄的测量由一个块经历的编程/擦除循环的数量给出。
13.根据权利要求12的非易失性存储器,其中:
非易失性存储器的预定年龄由一个块经历的编程/擦除循环的预定数量给出。
14.根据权利要求11的非易失性存储器,还包括:
存储器控制器;以及其中:
所述存储器被配置为第一和第二部分,第一部分具有以比第二部分更少的错误率但更低密度的存储来操作的存储器单元;
所述存储器控制器与具有包括以下的操作的错误校正管理合作:
(a)将输入数据编程到第一部分中;
(b)随后,复制该数据以在第二部分中创建副本;
(c)检查所述副本的错误;
(d)取决于所述错误是否少于预定数量的错误位,将所述副本标识为有效或无效数据;以及
(e)当所述副本被标识为无效时,重复复制到第二部分中的另一位置,且重复步骤(a)到(e)达预定次数。
15.根据权利要求14的非易失性存储器,其中,所述存储器控制器检查所述副本的错误是通过与所述副本相关的ECC。
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