[发明专利]有机电致发光元件和包括有机电致发光元件的显示器

说明书

技术领域

本发明涉及有机电致发光元件(以下，称为“有机EL元件”)和包括有机电致发光元件的显示器。

背景技术

有机EL元件均包括层叠的布置于基板侧的下电极、包含发射层的有机化合物膜和上电极。有机EL元件的发光效率需要得到提高。因而，已提供了光从其中形成薄膜晶体管的基板的相反侧(上电极侧)出射(emerge)的顶发射型有机EL元件。并且，已提供了如下这样的有机EL元件，其中，包含于有机EL元件中的两个电极由金属构成，并且由于金属的高反射率通过利用增加两个电极之间的光强度的光学干涉来提高发光效率。

有机EL元件对于水敏感，由此由被配置为防止水渗透的保护层覆盖。PTL 1公开了在有机EL元件上的通过化学气相沉积(CVD)形成的硅氮化物所构成的保护层。

引文列表

专利文献

PTL 1日本专利公开No.64-41192

发明内容

技术问题

但是，对于利用光学干涉的顶发射型有机EL元件，已发现通过作为高能量成膜方法的溅射方法或等离子体增强CVD方法形成保护层明显地使有机EL元件的寿命性能劣化。其原因如下：在上述的有机EL元件中，上电极由具有20nm或更小的厚度的薄金属膜形成。因此，在保护层的形成期间施加的高能量被传送到布置于电极之间的有机化合物膜，由此使有机EL元件受损。并且，从发射层到上电极的各层典型地以小的厚度形成，使得由于利用光学干涉，发射层中的发射点与上电极之间的光学距离被设为发射波长的约1/4。因此，对于发射层的损害成为问题。

问题的解决方案

根据本发明的各方面，一种有机电致发光元件包括：第一电极；包含多个层的有机化合物膜，这些层包含发射层；第二电极；保护层；以及在第二电极和保护层之间通过蒸镀方法形成的缓冲层，从发射层发射的光从第二电极侧出射，其中，第二电极由具有5nm～20nm的厚度的金属膜形成，发射层的与第一电极相邻的表面和第二电极与有机化合物膜相邻的表面之间的距离为55nm～90nm，并且，保护层通过溅射方法或等离子体增强化学气相沉积方法形成。

本发明的有利效果

本发明的各方面通过减少来自在保护层的形成期间施加的高能量的损害，提供了具有令人满意的寿命性能的有机EL元件。

附图说明

图1是根据本发明的一个方面的有机EL元件的截面图。

图2是根据本发明的另一方面的有机EL元件的截面图。

图3A和图3B是根据本发明的其它方面的有机EL元件的截面图。

图4是根据本发明的各方面的显示器。

具体实施方式

以下将参照图1描述根据本发明的各方面的有机EL元件的实施例。图1所示的顶发射型有机EL元件包括在基板1上依次层叠的第一电极2，包含空穴传输层3、发射层4、电子传输层5和电子注入层6的有机化合物膜，第二电极7，缓冲层8和无机保护层9。通过有机EL元件的通电从两个电极注入的空穴和电子在发射层4中复合以产生能量。有机EL元件通过利用该能量发射光。在根据本发明的各方面的有机EL元件中，光从与基板相反的第二电极侧出射。

根据本发明的各方面的顶发射型有机EL元件具有光腔(optical cavity)结构。具体地，使用以下两种相长光学干涉。一种是如下这样的光学干涉，其中，第一电极2和第二电极7中的每一个具有金属层，并且在发射层4中产生的光在第一电极的反射面与第二电极7的反射面之间反射，由此增强反射的光。与该腔结构有关的包含相位偏移量的参数之间的关系被表达为表达式1：

2D/λ+(φ1+φ2)/2π＝N          表达式1

这里，D代表第一电极2的反射面与第二电极7的反射面之间的光学距离，λ代表从有机EL元件发射的光的光谱中的最大峰值波长，φ1代表第一电极2的反射面处的相位偏移量，φ2代表第二电极7的反射面处的相位偏移量，并且N代表自然数。

通常，第一电极2的反射面处的相位偏移量φ1和第二电极7的反射面处的相位偏移量φ2中的每一个为π。因此，在第一电极2的反射面与第二电极7的反射面之间的光学距离被设为最大峰值波长λ的约1/2的整数倍的情况下，获得被配置为增强在发射层4中产生的光的腔结构。这导致发光效率的提高。发射蓝光的有机EL元件具有400nm～480nm的最大峰值波长λ。发射绿光的有机EL元件具有500nm～580nm的最大峰值波长λ。发射红光的有机EL元件具有600nm～730nm的最大峰值波长λ。