[发明专利]有机光电转换元件

权利要求书

1.一种有机光电转换元件，其特征在于，

具有阳极和阴极、以及设于该阳极与阴极之间的有机活性层，

所述有机活性层含有多重激子产生剂。

2.根据权利要求1所述的有机光电转换元件，其中，

多重激子产生剂包含化合物半导体，所述化合物半导体含有选自Cu、In、Ga、Se、S、Te、Zn、及Cd中的1种以上的元素。

3.根据权利要求2所述的有机光电转换元件，其中，

在化合物半导体的能隙内具有多个能级。

4.根据权利要求1所述的有机光电转换元件，其中，

有机活性层含有第一p型半导体和n型半导体。

5.根据权利要求2所述的有机光电转换元件，其中，

化合物半导体是纳米尺寸的粒状物。

6.根据权利要求5所述的有机光电转换元件，其中，

在化合物半导体纳米粒子的表面附着有第一p型半导体。

7.根据权利要求4所述的有机光电转换元件，其中，

确定化合物半导体的能隙的HOMO能级与LUMO能级处于第一p型半导体的HOMO能级-LUMO能级间的能隙内。

8.根据权利要求5所述的有机光电转换元件，其中，

有机活性层还具有第二p型半导体，并且在化合物半导体纳米粒子的表面附着有第二p型半导体。

9.根据权利要求8所述的有机光电转换元件，其中，

化合物半导体的HOMO能级-LUMO能级间的能隙比第二p型半导体和n型半导体各自的HOMO能级-LUMO能级间的能隙小，处于相距化合物半导体的真空能级较近的位置的能带比第二p型半导体及n型半导体的LUMO能级更远离化合物半导体的真空能级，并且处于相距化合物半导体的真空能级较远的位置的能带比第二p型半导体和n型半导体的HOMO能级更靠近化合物半导体的真空能级。

10.根据权利要求8所述的有机光电转换元件，其中，

化合物半导体的HOMO能级-LUMO能级间的能隙比第一p型半导体及第二p型半导体和n型半导体各自的HOMO能级-LUMO能级间的能隙小，处于相距化合物半导体的真空能级较近的位置的能带比第一p型半导体及第二p型半导体及n型半导体各自的LUMO能级更远离化合物半导体的真空能级，并且处于相距化合物半导体的真空能级较远的位置的能带比第一p型半导体及第二p型半导体和n型半导体各自的HOMO能级更靠近化合物半导体的真空能级。