[发明专利]包含具有压敏电容器的传感器电路阵列的液晶装置无效
| 申请号: | 201080048056.4 | 申请日: | 2010-11-01 |
| 公开(公告)号: | CN102576273A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
| 发明(设计)人: | C.J.布朗 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044;G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包含 具有 电容器 传感器 电路 阵列 液晶 装置 | ||
1.一种液晶装置,包括由多个第一传感器电路构成的第一阵列,每个第一传感器电路包括:液晶感测电容器;放大器,其输入端连接到所述感测电容器的第一端子;以及压敏电容器,其电容是其两端电压的函数,并且连接在放大器输入端和传感器电路选择输入端之间。
2.如权利要求1所述的装置,其中所述感测电容器具有响应于触摸事件而变化的电容。
3.如权利要求1或2所述的装置,其中所述压敏电容器在两端的电压为第一电压的情况下具有第一电容,并且在两端的电压为具有比所述第一电压大的值的第二电压的情况下具有小于所述第一电容的第二电容。
4.如前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述选择输入端配置成接收用于禁用所述第一传感器电路的第三电压,以及用于启用所述第一传感器电路的具有比所述第三电压大的值的第四电压。
5.如前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述放大器包括第一晶体管。
6.如权利要求5所述的装置,其中所述第一晶体管包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管。
7.如权利要求6所述的装置,其中所述第一晶体管被连接为源极跟随器。
8.如权利要求7所述的装置,其中所述第一阵列包括多行和多列的第一传感器电路,同时每列第一传感器电路的源极跟随器连接到公共源极负载。
9.如权利要求8所述的装置,其中每行的第一传感器电路的所述选择输入端被连接在一起。
10.如前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述压敏电容器包括第二金属氧化物半导体场效应晶体管。
11.如权利要求10所述的装置,其中所述第二场效应晶体管的源极和漏极被连接在一起。
12.如前述权利要求中任一项所述的装置,其中每个第一传感器电路包括具有连接到所述放大器输入端的第一端子、并且被配置成当所述第一传感器电路被禁用时在所述放大器输入端提供预定电压的二极管。
13.如权利要求10所述的装置,其中所述第二场效应晶体管具有连接在所述放大器输入端和配置成在所述第一传感器电路被禁用时在所述放大器输入端提供预定电压的二极管的第一端子之间的源极-漏极通路。
14.如权利要求12或13所述的装置,其中所述二极管的第二端子连接到所述第一传感器电路的寻址输入端。
15.如前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述第一传感器电路的所述感测电容器的第二端子被连接在一起。
16.如权利要求15所述的装置,其中所述感测电容器的所述第二端子包含公共端子。
17.如前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述感测电容器的第二端子连接到预充电输入端。
18.如从属于权利要求12或13的权利要求17所述的装置,其中所述二极管的第二端子连接到所述预充电输入端。
19.如前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述感测电容器包含具有与相邻的液晶材料层协作的共面电极的平面电容器。
20.如权利要求19所述的装置,其中所述共面电极面对位于所述液晶材料层的相对侧的电极间隙。
21.如权利要求19所述的装置,其中所述共面电极面对位于所述液晶材料层的相对侧的电浮电极。
22.如权利要求19至21中任一项所述的装置,其中所述共面电极由配置成接收基本固定的电压的共面保护环围绕。
23.如前述权利要求中任一项所述的装置,包括由多个液晶显示像素构成的第二阵列。
24.如权利要求23所述的装置,其中所述第一阵列和所述第二阵列通过公共有源矩阵寻址方式寻址。
25.如权利要求24所述的装置,其中所述寻址方式配置成在显示消隐周期期间寻址所述第一阵列。
26.如权利要求23至25中任一项所述的装置,其中所述第一传感器电路具有与连接到像素数据输入端的数据输入线相连的输出端。
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