[发明专利]具有改良RF热切换性能及可靠性的微机械数字电容器

权利要求书

1.一种装置，包括：

衬底，所述衬底具有在所述衬底中形成的一或多个电极；

电绝缘层，所述电绝缘层布置在所述衬底和所述一或多个电极上方；

一或多个下落结构，所述一或多个下落结构耦接于所述衬底；

MEMS元件，所述MEMS元件耦接于所述衬底，所述MEMS元件可从第一位置移动到与所述电绝缘层间隔的第二位置，所述MEMS元件包括第一部分和第二部分，所述第一部分在所述MEMS元件处于所述第一位置中时接触所述电绝缘层，所述第二部分在所述MEMS元件处于所述第二位置中时接触所述一或多个下落结构。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述第一部分包括蜂巢结构，所述蜂巢结构包含底层和通过一或多个支撑结构耦接于所述底层的顶层。

3.如权利要求2所述的装置，其中所述第二部分由所述底层组成。

4.如权利要求3所述的装置，其中所述底层包含氮化钛铝。

5.如权利要求3所述的装置，其中所述第二部分耦接于所述第一部分与第三部分之间，所述第三部分在所述MEMS元件处于所述第一位置和所述第二位置中时都耦接于所述衬底。

6.如权利要求2所述的装置，其中所述第二部分由所述顶层组成。

7.如权利要求6所述的装置，其中所述第二部分耦接于所述第一部分与第三部分之间，所述第三部分在所述MEMS元件处于所述第一位置和所述第二位置中时都耦接于所述衬底。

8.如权利要求2所述的装置，其中所述底层包含氮化钛铝。

9.如权利要求1所述的装置，其中所述一或多个电极中的至少一个电极是RF电极。

10.一种装置，包括：

衬底，所述衬底具有在所述衬底中形成的一或多个电极；

电绝缘层，所述电绝缘层布置在所述衬底和所述一或多个电极上方；

一或多个弹簧元件，所述一或多个弹簧元件耦接于所述电绝缘层，所述一或多个弹簧元件可从第一位置移动到第二位置；

MEMS元件，所述MEMS元件耦接于所述电绝缘层，所述MEMS元件可从第三位置移动到与所述电绝缘层间隔的第四位置，所述MEMS元件包括第一部分和第二部分，所述第一部分在处于所述第三位置中时接触所述电绝缘层，所述第二部分接触所述一或多个弹簧元件并且将所述一或多个弹簧元件从所述第一位置移动到所述第二位置。

11.如权利要求10所述的装置，其中所述第一部分包括蜂巢结构，所述蜂巢结构包含底层和通过一或多个支撑结构耦接于所述底层的顶层。

12.如权利要求11所述的装置，其中所述第二部分由所述顶层组成。

13.如权利要求12所述的装置，其中所述顶层包含氮化钛铝。

14.如权利要求13所述的装置，其中所述一或多个弹簧元件包含氮化钛铝。

15.一种方法，包括以下步骤：

在具有绝缘层、一或多个下落结构和在绝缘层和一或多个下落结构上方

布置的第一牺牲层的衬底上方形成MEMS元件，所述形成步骤包括以下步骤：

在所述第一牺牲层的上方形成第一结构层；

在所述第一结构层的上方形成第二牺牲层；

移除所述第二牺牲层的至少一个部分以暴露所述第一结构层的部分；

在所述暴露的第一结构层上方形成结构元件；和

在所述第二牺牲层和所述结构元件上方形成第二结构层；和

移除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层以释放所述MEMS元件，所述释放的MEMS元件可从第一位置移动到第二位置，并且所述释放的MEMS元件具有第一部分和第二部分，所述第一部分在所述MEMS元件处于所述第一位置中时接触所述绝缘层，并且所述第二部分在所述MEMS元件处于所述第二位置中时接触所述一或多个下落结构。

16.如权利要求15所述的方法，进一步包含以下步骤：形成和所述一或多个下落结构接触的一或多个弹簧元件。

17.如权利要求16所述的方法，其中形成所述第一结构层的步骤包括以下步骤：形成所述一或多个弹簧元件。

18.如权利要求17所述的方法，其中形成所述第一结构层的步骤包含以下步骤：

沉积氮化钛铝层。