[发明专利]太阳能电池单元的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池单元的制造方法，其为具有pn结的太阳能电池单元的制造方法，包括：

在半导体基板上涂布包含成为受主的杂质的扩散用涂布液，通过热扩散处理扩散所述杂质形成p型层的工序；和/或

在半导体基板上涂布包含成为施主的杂质的扩散用涂布液，通过热扩散处理扩散所述杂质形成n型层的工序。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，包含：在形成所述p型层之后，在该p型层上形成厚度为1～5μm的整面状的电极层的工序。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，以所述电极层的片电阻为1×10^-4Ω/□以下的方式进行设定。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，包含：在形成所述p型层之后，在该p型层上形成非整面状的电极层的工序。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述非整面状的电极为由母线电极以及与该母线电极交叉的指状电极构成的电极。

6.根据权利要求4所述的太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述非整面状的电极为网眼状的电极。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，所述半导体基板由多晶硅形成。