[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及具有电熔丝电路的半导体装置。

背景技术

以往，在系统LSI等半导体装置中，作为用于解决存储器冗余等的程序器件而有效利用了电熔丝。在电熔丝的程序动作中，在熔丝元件中流过充分大的电流，通过使其中一部分断线，由此使熔丝元件从低电阻变化为高电阻。

在专利文献1中公开了具有熔丝元件的电熔丝电路的构成和动作的一例。另外，在专利文献2中公开了在系统LSI的电源接通/断开时、电源或地线的一部分断路时、以及从断路状态恢复时，未对熔丝元件错误地程序化的电熔丝电路。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-114804号公报

专利文献2：日本特开2008-153588号公报

发明内容

(发明要解决的课题)

在近年来的数码产品中，ESD(Electrostatic discharge)对策极其重要。即、在将系统LSI组合为成套产品的工序或芯片的检查工序中，有可能因ESD导致在电源与地线之间施加浪涌，从而流动较大的过电流。并且，在具备电熔丝电路的半导体装置中，若从用于程序化熔丝元件的程序电源施加浪涌电流，则在熔丝元件中会流动较大的电流，故存在着会误程序化的问题。

本发明的目的在于：在具备电熔丝电路的半导体装置中，即便从程序电源施加了浪涌也可防止熔丝元件的误程序化。

(用于解决课题的方法)

本发明的一个方式采用下述构成，作为半导体装置而具备：电熔丝电路，其具有：在程序电源与地线之间串联连接地设置的熔丝元件及晶体管、和控制所述晶体管的栅极电位的控制部；和程序防止电路，其在所述程序电源与所述地线之间与所述电熔丝电路并联地设置，并且当在所述程序电源与所述地线之间施加了浪涌时按照流动浪涌电流的一部分的方式构成。

根据该方式，在程序电源与地线之间与电熔丝电路并联地设置了程序防止电路，该程序防止电路当在程序电源与地线之间施加了浪涌时按照流动浪涌电流的一部分的方式构成。因此，即便在从程序电源施加了浪涌的情况下，浪涌电流也被分散至电熔丝电路和程序防止电路，所以能够抑制在电熔丝电路的熔丝元件中流动的电流。因此，可以防止熔丝元件的误程序化。

发明效果

根据本发明，在具备电熔丝电路的半导体装置中，即便在从程序电源施加了浪涌的情况下，也能避免对熔丝元件错误地程序化的问题。

附图说明

图1是表示实施方式涉及的半导体装置的构成的俯视图。

图2是图1中的电熔丝电路和程序电路的电路构成例。

图3是图2的电路构成的变形例。

图4是图2的电路构成的变形例。

图5是图2的电路构成的变形例。

图6是图2的电路构成的变形例。

图7是表示实施方式涉及的半导体装置的其他构成的俯视图。

图8是图7中的电熔丝电路和程序电路的电路构成例。

图9是图2的电路构成的变形例。

图10是表示实施方式涉及的半导体装置的其他构成的俯视图。

图11是表示实施方式涉及的半导体装置的其他构成的俯视图。

图12是表示实施方式涉及的半导体装置的其他构成的俯视图。

图13是表示实施方式涉及的半导体装置的其他构成的俯视图。

图14是表示实施方式涉及的半导体装置的其他构成的俯视图。

图15是表示实施方式涉及的半导体装置的其他构成的俯视图。

图16是表示实施方式涉及的半导体装置的其他构成的俯视图。

图17是表示实施方式涉及的半导体装置的其他构成的俯视图。

图18是表示实施方式涉及的半导体装置的其他构成的俯视图。

图19是表示实施方式涉及的半导体装置的其他构成的俯视图。

图20是表示实施方式涉及的半导体装置的其他构成的俯视图。

图21是电熔丝电路和程序电路的其他电路构成例。

图22是电熔丝电路和程序电路的其他电路构成例。

图23是电熔丝电路和程序电路的其他电路构成例。

图24是电熔丝电路和程序电路的其他电路构成例。

具体实施方式

以下，参照附图，说明本发明的实施方式。