[发明专利]显示装置无效

专利信息
申请号: 201080046988.5 申请日: 2010-06-04
公开(公告)号: CN102576162A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 伊奈惠一;海濑泰佳;吉田圭介;前田和宏 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G02F1/133 分类号: G02F1/133;G02F1/1368;G09G3/20;G09G3/36
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 显示装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及显示装置。更详细地,涉及在像素中形成有保持电容的有源矩阵驱动型的显示装置。

背景技术

近年来,已知作为开关元件具备TFT(Thin Film Transistor:薄膜晶体管)的有源矩阵型显示装置。该液晶显示装置具备液晶显示面板等显示面板,液晶显示面板等显示面板在互相相对的2片绝缘性基板之间配置有液晶层。在显示面板的一方基板,栅极线(扫描信号线)和源极线(视频信号线)设成格子状,用于形成图像的像素电极配置成矩阵状。在栅极线和源极线的交点附近设有TFT,控制向像素电极的电压施加。另外,在显示面板的另一方基板,设有用于与像素电极之间施加电压的共用电极,由像素电极和共用电极形成电容。

在这样的显示装置中,为了按1水平扫描期间1个地依次选择各栅极线,以1垂直扫描期间为周期反复进行扫描信号向各栅极线的施加。因此,储存于由像素电极和共用电极所形成的各个液晶电容等电容中的电荷必须被保持大致1垂直扫描期间。但是,在仅以该电容不能保持该储存的电荷的情况下,与该电容并列地设有保持电容。保持电容一般由像素电极或者与像素电极电连接的相对电极和保持电容配线形成。

利用上述保持电容配线,能进行使像素电极的像素电位上冲的电容耦合驱动。由此,能减小源极信号的电压的振幅,能得到充分的对比度。公开了如下液晶显示装置(例如,参照专利文献1。):作为这样的电容耦合驱动,例如在使用有源矩阵基板的液晶显示装置中,分开提供包括开关元件的导通电位(Vgt)和截止电位(Vgb)在内的原来的扫描信号(源极信号)和补偿由寄生电容引起的电位下降和液晶的阈值电压的2个偏置电位(Ve(+)、Ve(-)),从而能降低施加于开关元件的扫描信号的最大振幅,提高可靠性,并且实现成本的削减。另外,公开了如下液晶显示装置(例如,参照专利文献2。):其共用电极线驱动电路的输出可以为2值,所以其输出电路的构成变得简单,通过使其中一方的电位可变而能实现亮度调节。

然而,显示装置为了抑制液晶的劣化来维持显示质量而进行交流驱动,通常,按每1行像素使像素电极的电位的极性反转(也称为1H〔Horizontal:水平〕线反转)。此外,将与栅极线平行的方向设为水平(Horizontal)。

在显示装置、特别是搭载光传感器的机型等中,为了设为进行上述的1H线反转并且具有配置光传感器电路等附加电路的空间的像素结构,具有在奇数行的像素和偶数行的像素中共用的保持电容配线。公开了在这样的奇数行的像素和偶数行的像素中共用保持电容配线的显示装置(例如,参照专利文献3。)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:特开平10-39277号公报

专利文献2:特开2001-83943号公报

专利文献3:国际公开第2009-041112号小册子

发明内容

发明要解决的问题

在进行1H线反转的显示装置中,一个像素与其正上、正下的像素为不同极性。因此,受到上下像素的电位变动的影响的像素不会变化,无论是否输入均匀显示的信号,都不会产生由该影响引起的条纹等。因此,可以不进行考虑到该影响的设计。另一方面,电容耦合中的像素电极的电位的上冲/下冲按每1行像素进行。因此,在上述的进行1H线反转的显示装置中,不能利用在2行像素中共用的保持电容配线进行电容耦合驱动。并且,在设为具有配置光传感器电路等附加电路的空间的像素结构的基础上,为了进行电容耦合驱动,如图5所示,将保持电容配线24分割地配置。此外,图6是在图5所示的显示装置中利用电路标识示意性示出有源矩阵基板上的像素的电路构成的平面图。图7是示出现有的显示装置中的1H线反转的概念图。图7中,1个+或者-分别与1个像素对应,表示该像素中的像素电极的电位的极性。

在上述的在2行像素中共用保持电容配线的显示装置中,具有应用电容耦合驱动、减小源极信号的电压的振幅来使对比度比提高的研究余地。另外,在分割图5所示的保持电容配线24的显示装置中,在使像素的开口率和成品率充分优良的方面具有研究余地。即,在显示装置中可期望如下情况:在设为在2行像素中共用保持电容配线来充分防止像素的开口率降低和成品率降低的基础上,能进行电容耦合驱动。

本发明是鉴于上述现状而完成的,其目的在于提供如下显示装置:在使保持电容配线在2行像素中共用来充分防止开口率降低和成品率降低的基础上,能进行电容耦合驱动。

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