[发明专利]树脂组合物、半导体晶片接合体和半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及树脂组合物、半导体晶片接合体和半导体装置

背景技术

目前，已知有以CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)传感器、CCD(Charge coupled device，电荷耦合器件)传感器等为代表的半导体装置，其包含：具有光接收部的半导体基板；设置在半导体基板上的隔片；以及通过该隔片接合于半导体基板上的透明基板。

作为上述半导体装置的制造方法，为了实现半导体装置生产效率的提高，有人提出了使用感光性膜的方法(例如，参照专利文献1：日本特开2008-91399号公报)。

该采用感光性膜的半导体装置，例如，可通过如下所述的操作，一次性制造多个半导体装置。

首先，在具有多个光接收部的半导体晶片上，粘贴感光性膜(隔片形成层)以覆盖该半导体晶片。

接着，通过有选择性地对感光性膜照射光(曝光)后进行显影，从而将感光性膜有选择性地残留在半导体晶片上的包围各光接收部的区域中，以形成格状隔片。

接着，通过隔片将形成有隔片的半导体晶片和透明基板对面(相向)而配置后，对它们进行压合，从而获得通过隔片接合半导体晶片和透明基板而成的半导体晶片接合体。

接着，根据半导体晶片具有的光接收部单元分割该半导体晶片接合体，由此可一次性制造多个前述半导体装置。

如上所述地，可通过对经由隔片接合半导体晶片和透明基板而成的半导体晶片接合体进行分割来制造半导体装置，但是，近年来随着半导体装置的小型化、薄型化，要求半导体晶片的厚度达到100～600μm左右，而且，若使半导体装置达到进一步的小型化、薄型化时，则要求厚度变薄至50μm左右。

并且，对上述半导体晶片而言，为了设定为所述薄度，实施背研工序以对半导体晶片的与隔片相反侧的面进行研削和/或研磨，因此，在该工序后的半导体晶片上产生翘曲或者该翘曲增大的可能性高。

对如此发生翘曲的半导体晶片接合体而言，在背研工序后，施以背面加工(例如，TSV加工)、切割加工等。

作为背面加工工序，例如，有对感光性抗蚀剂进行层压、曝光、显影的工序。

因此，当在层压机、曝光机、显影机和切割锯等装置上安装半导体晶片接合体时，有必要将半导体晶片接合体装入送料箱(マガジンケ一ス)中并将该送料箱安装在装置上，此时，若因实施背研工序而在半导体晶片接合体中产生的翘曲大，则无法将半导体晶片接合体放入该送料箱，从而无法安装在装置上，发生工序不能连续进行的缺陷。

并且，即使已经将半导体晶片接合体放入送料箱中，由于在各装置中对半导体晶片接合体施以吸引等而进行运送或者固定在载物台上，因此，若在背研后半导体晶片接合体的翘曲变大，则无法通过吸引来进行运送和固定，因此，还发生无法实施背面加工、切割加工的缺陷。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种能够获得如下所述隔片的树脂组合物以及减少了翘曲大小的半导体晶片接合体，其中，所述隔片是：通过该隔片接合半导体晶片和透明基板来形成半导体晶片接合体，并在研削和/或研磨半导体晶片的背面后，可减少该半导体晶片接合体上产生的翘曲大小。

为了实现上述目的，本发明提供下列(1)～(12)所述的技术方案：

(1)一种树脂组合物，其用于在半导体晶片与透明基板之间设置俯视状态下呈格状的隔片，并且由包含碱溶性树脂、热固性树脂和光聚合引发剂的构成材料所构成，其特征在于，

当通过前述隔片来接合基本呈圆形的直径为8英寸且厚度为725μm的前述半导体晶片和基本呈圆形的直径为8英寸且厚度为350μm的前述透明基板时，在其俯视状态下的基本整个面上形成前述隔片，然后，对前述半导体晶片的与前述隔片相反侧的面施以基本均匀地进行研削和/或研磨的加工，以使前述半导体晶片成为1/5的厚度，此时，

当以所述透明基板侧作为下侧而放置于平面上时，在前述平面与前述透明基板的表面所形成的空隙的最大高度即翘曲大小为3000μm以下。

(2)如上述(1)所述的树脂组合物，其中，对前述翘曲而言，前述半导体晶片接合体在加工前的翘曲大小为500μm以下，并且在其加工后的翘曲增大率为600％以下。

(3)如上述(1)所述的树脂组合物，其中，所述碱溶性树脂为(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂。

(4)如上述(1)所述的树脂组合物，其中，所述热固性树脂为环氧树脂。