[发明专利]PIN二极管

权利要求书

1.一种PIN二极管，其特征在于，具备：

半导体基板，其由N型的第一半导体层以及杂质浓度比第一半导体层低的N型的第二半导体层构成；

阴极电极，其形成在第一半导体层的外表面上；

从第二半导体层的外表面选择性地扩散P型杂质而形成的主阳极区域、分离阳极区域以及阳极连接区域；以及

阳极电极，其形成在上述主阳极区域上，

上述主阳极区域具有4边由直线部构成且4顶点由大致圆弧状的曲线部构成的大致矩形的外缘，

上述分离阳极区域沿着上述主阳极区域的外缘形成为环状，

上述阳极连接区域形成为以下形状，即，使相互对置的上述分离阳极区域的内缘以及上述直线部中的任意一方突出出来与另一方进行点接触。

2.根据权利要求1所述的PIN二极管，其特征在于，

上述阳极连接区域形成为以下三角形形状，即，与距上述分离阳极区域的内缘以及上述直线部中的任意一方的距离对应地，上述阳极连接区域的宽度减少。

3.根据权利要求1所述的PIN二极管，其特征在于，

上述阳极连接区域具有以下圆弧状的外形，即，与距上述分离阳极区域的内缘以及上述直线部中的任意一方的距离对应地，上述阳极连接区域的宽度减少。

4.根据权利要求1或2所述的PIN二极管，其特征在于，

相对于1个上述直线部，按照固定间隔来配置2个以上的上述阳极连接区域。

5.根据权利要求1或2所述的PIN二极管，其特征在于，

在经由上述阳极连接区域从上述分离阳极区域至上述主阳极区域的电流路径上，形成使第二半导体层的外表面的杂质浓度极小化的浓度梯度。

6.根据权利要求5所述的PIN二极管，其特征在于，

通过使杂质扩散时的第二半导体层的露出区域为不连续，从而形成上述浓度梯度。