[发明专利]用于在磁记录介质上制作图案的系统

权利要求书

1.一种多个基板的处理装置，其特征在于，包括：

多盘载体，其包含持有多个所述基板的可旋转拨盘载体；和

多个处理模块，其各自被制备成可收容多盘载体的大小，且所述模块中的至少一个包含处理源，用于将表面处理工程同时地应用于位于所述处理模块内的多盘载体的拨盘载体内的多个基板。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述可旋转拨盘载体持有至少三个所述基板。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述可旋转拨盘载体持有至少六个所述基板。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述可旋转拨盘载体持有至少十个所述基板。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，多个所述处理模块包含处理源，用于将表面处理工程同时地应用于位于所述处理模块内的多盘载体的拨盘载体内的多个基板。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述处理模块中的一个包含处理源，用于将表面处理工程应用于位于所述处理模块内的多盘载体的拨盘载体内的少于总数的基板。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述拨盘载体以编有索引的方式被旋转，来将所述处理源按顺序应用于所述拨盘载体内的多个基板

8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述处理模块被有序地排列，用于有序地处理在所述多盘载体内贯穿于其中的基板。

9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述处理模块以线性配置被装配。

10.如权利要求8所述的装置，其特征在于，进一步包括：

轨道，和

所述多盘载体沿所述轨道被运送至厢中。

11.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述处理模块被排列在两个垂直水平中，并进一步包括升降台，用于将多盘载体垂直移动于所述垂直水平之间。

12.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述多盘载体将所述基板保持在一般垂直的方向中。

13.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述处理模块包含驱动器，能够与所述多盘载体衔接来旋转所述拨盘载体。

14.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述处理模块包含：

具有法线方向的源；和

驱动器，其能够与所述多盘载体MDC衔接，来将所述拨盘载体相对于所述法线方向倾斜一个角度。

15.如权利要求1所述的装置，其特征在于，至少一个所述处理模块内的环境通过负荷锁与外部空气隔离。

16.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括：

机械的基板处理器，其用于将多盘载体传送至所述处理模块或从所述处理模块接收多盘载体。

17.一种用于生成图案化结构的掩模增强工程，其特征在于，包括以下步骤：

将图案化的光阻材料沉积在基板上；

硬化所述光阻材料；

将碳间隔层沉积在所述图案化的光阻材料上；

使用蚀刻工程来清除所述碳间隔层，同时蚀刻所述基板来生成所需的图案结构；以及

清除硬化的所述光阻材料。

18.如权利要求17所述的工程，其特征在于，所述碳间隔层的沉积步骤，在光阻材料上形成比临近光阻材料的部分基板更多的所述碳间隔层的积累物。

19.一种制备磁盘介质的工程，其特征在于，包括以下步骤：

在磁性堆栈之上的所述介质中蚀刻垂直定义的槽的图案；

利用气相沉积工程沉积所述垂直定义的槽的填料层，来完全地填充所述槽；以及

平整填料层来填充所述槽。

20.如权利要求19所述的工程，其特征在于，沉积所述填料层的步骤包括物理气相沉积。

21.如权利要求19所述的工程，其特征在于，沉积所述填料层的步骤包括凝聚相沉积。

22.如权利要求19所述的制备磁盘介质的过程，其特征在于，所述填料层包含从由以下构成的群中选择出的物质：

氧化铝；

硅；

二氧化硅；

氮化硅；

α-碳；和

氮化碳。

23.一种平整磁性堆栈之上的具有槽的磁性介质表面的方法，包括以下步骤：

将所选厚度的双层碳沉积在所述磁性堆栈上，覆盖所述槽以及所述槽之间的面；

将含硅的填料层沉积在碳层之上来填充所述槽并覆盖所述面，从而在所述槽和面之上形成表面；

以高度选择含硅的填料层的工程选择性地蚀刻所述填料层，来清除所述面之上的所述填料层，并保留所述槽内的所述填料层，所述槽被嵌入所述双层碳的上层表面之下与所述所选厚度几乎相同的距离；以及

以高度选择碳层的工程选择性地蚀刻所述碳层，来清除外露在所述面上的碳，保留填充有所述碳层和所述含硅的层的所述槽。