[发明专利]半导体用粘接剂组合物、半导体装置以及半导体装置的制造方法无效
| 申请号: | 201080045628.3 | 申请日: | 2010-11-10 |
| 公开(公告)号: | CN102576681A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
| 发明(设计)人: | 满仓一行;川守崇司;增子崇;加藤木茂树;藤井真二郎 | 申请(专利权)人: | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;C09J4/02;H01L21/301 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;金鲜英 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 用粘接剂 组合 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体用粘接剂组合物,其含有(A)放射线聚合性化合物、(B)光引发剂和(C)热固性树脂,其中所述(A)成分含有在25℃下为液状并且分子内具有1个碳碳双键的化合物。
2.如权利要求1所述的半导体用粘接剂组合物,其中所述半导体用粘接剂组合物在25℃下为液状,并且溶剂的含量为5质量%以下。
3.如权利要求1或2所述的半导体用粘接剂组合物,其中所述(A)成分为具有酰亚胺基或羟基的单官能(甲基)丙烯酸酯。
4.如权利要求1~3中任一项所述的半导体用粘接剂组合物,其中所述(A)成分的5%失重温度为150℃以上。
5.如权利要求1~4中任一项所述的半导体用粘接剂组合物,其中所述(A)成分在25℃下的粘度为1000mPa·s以下。
6.如权利要求1~5中任一项所述的半导体用粘接剂组合物,其中所述(A)成分聚合所得的聚合物的Tg为100℃以下。
7.如权利要求1~6中任一项所述的半导体用粘接剂组合物,其进一步含有(D)热自由基引发剂。
8.如权利要求1~7中任一项所述的半导体用粘接剂组合物,其中所述半导体用粘接剂组合物在25℃下的粘度为10~30000mPa·s。
9.如权利要求1~8中任一项所述的半导体用粘接剂组合物,其中所述半导体用粘接剂组合物为如下的物质:对于由该组合物形成的粘接剂层进行光照射而进行B阶化时,其5%失重温度为150℃以上。
10.如权利要求1~9中任一项所述的半导体用粘接剂组合物,其中所述半导体用粘接剂组合物为如下的物质:对于由该组合物形成的粘接剂层进行光照射而进行B阶化,并进一步加热固化时,其5%失重温度为260℃以上。
11.一种半导体装置,其具有通过权利要求1~10中任一项所述的半导体用粘接剂组合物粘接有半导体元件彼此和/或半导体元件与半导体元件搭载用支撑部件的结构。
12.一种半导体装置的制造方法,其具有:在半导体晶片的一面上涂布权利要求1~10中任一项所述的半导体用粘接剂组合物,而设置粘接剂层的工序;对所述粘接剂层进行光照射的工序;将光照射后的所述粘接剂层和所述半导体晶片一起切断,而得到带有粘接剂层的半导体元件的工序;以及,将所述带有粘接剂层的半导体元件与其它半导体元件或半导体元件搭载用支撑部件,夹着所述带有粘接剂层的半导体元件的粘接剂层进行压接,从而粘接的工序。
13.一种半导体装置的制造方法,其具有:在半导体元件上涂布权利要求1~10中任一项所述的半导体用粘接剂组合物,而设置粘接剂层的工序;对所述粘接剂层进行光照射的工序;以及,将具有光照射后的所述粘接剂层的所述半导体元件与其它半导体元件或半导体元件搭载用支撑部件,夹着光照射后的所述粘接剂层进行压接,从而粘接的工序。
14.一种半导体装置的制造方法,其具有:在半导体元件搭载用支撑部件上涂布权利要求1~10中任一项所述的半导体用粘接剂组合物,而设置粘接剂层的工序;对所述粘接剂层进行光照射的工序;以及,将具有光照射后的所述粘接剂层的所述半导体元件搭载用支撑部件与半导体元件,夹着光照射后的所述粘接剂层进行压接,从而粘接的工序。
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