[发明专利]通过转换元件接触光电半导体构件和相应的光电半导体构件有效
| 申请号： | 201080045166.5 | 申请日： | 2010-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102687295A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 汉斯-克里斯托弗·加尔迈尔;迈克尔·克鲁帕;雷蒙德·施瓦茨;冈特·斯帕思 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 转换 元件 接触 光电 半导体 构件 相应 | ||
1.用于制造光电半导体构件的方法，包括：
-在晶圆复合物中提供半导体芯片（202、404），所述半导体芯片具有用于发射初级辐射的有源侧（204）和设置在所述有源侧（204）上的接触端子（108）；
-在所述有源侧（204）上施加耦合元件（208）；
-将用于将所述初级辐射的一部分转换成次级辐射的发光转换元件（210）安置在所述耦合元件（208）上。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶圆复合物是工艺处理的半导体晶圆（200）。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶圆复合物是人造晶圆（400）。
4.根据上述权利要求之一所述的方法，其中根据所述半导体芯片（202、404）的色度坐标选出所述发光转换元件（210）。
5.根据上述权利要求之一所述的方法，其中所述耦合元件（208）包括至少一种下述材料：
-玻璃，
-硅树脂，
-氧化铝，或者
-粘合剂。
6.根据上述权利要求之一所述的方法，包括：
-露出所述接触端子（108）。
7.根据权利要求6所述的方法，其中通过激光烧蚀实现露出所述接触端子（108）。
8.根据权利要求6所述的方法，其中通过光刻工艺实现露出所述接触端子（108）。
9.光电半导体构件，包括：
-半导体层序列（202、404），具有用于发射初级辐射的有源侧（204）和设置在所述有源侧（204）上的接触端子（108）；
-安置在所述有源侧（204）上的发光转换元件（210）；和
-设置在有源侧（204）和发光转换元件（210）之间的耦合元件（208）。
10.根据权利要求9所述的光电半导体构件，其中所述接触端子（108）露出。
11.根据权利要求9或10之一所述的光电半导体构件，包括：
-安置到所述接触端子（108）上的电接触部（300、302）。
12.根据权利要求9至11之一所述的光电半导体构件，包括：
-围绕所述半导体层序列（202、404）和所述发光转换元件（210）的壳体。
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