[发明专利]较高级氢化硅烷的制备方法

权利要求书

1.较高级的氢化硅烷的制备方法，其中使

-至少一种较低级的氢化硅烷，和

-至少一种多相催化剂发生反应，其特征在于，

该至少一种催化剂包括

-施加在载体上的Cu，Ni，Cr和/或Co

-和/或施加在载体上的Cu，Ni，Cr和/或Co的氧化物。

2.按照权利要求1的方法，

其特征在于，

该至少一种较低级的氢化硅烷选自由甲硅烷、乙硅烷和丙硅烷组成的组。

3.按照权利要求2的方法，

其特征在于，

作为至少一种较低级的氢化硅烷采用甲硅烷和乙硅烷的混合物。

4.按照上述权利要求中任一项的方法，

其特征在于，

该载体由选自由活性炭、氧化铝、二氧化硅、硅石、硅酸盐、硅藻土、滑石、高岭土、粘土、二氧化钛、氧化锆和沸石组成的组的至少一种物质。

5.按照上述权利要求中任一项的方法，

其特征在于，

该至少一种催化剂除了所述金属铜、镍、铬或者钴以外，不包括其他元素形式或作为化合物的过渡金属，镧系元素或锕系元素。

6.按照上述权利要求中任一项的方法，

其特征在于，

该多相催化剂可以通过1)用铜、镍、铬和/或钴的盐的水溶液浸渍载体，2)干燥和3)煅烧制备。

7.按照上述权利要求中任一项的方法，

其特征在于，

施加在载体上的Cu，Ni，Cr或Co或其氧化物的重量百分比含量为载体总质量的0.5～65重量％之间。

8.按照上述权利要求中任一项的方法，

其特征在于，

该至少一种的较低级的氢化硅烷和该至少一种多相催化剂在溶剂存在的情况下进行反应。

9.氢化硅烷或氢化硅烷的混合物，其可以按照权利要求1至8中任一项的方法制备。

10.可按照权利要求1至8中任一项制备的至少一种氢化硅烷在制造电子或者光电子组件层上的应用。

11.可按照权利要求1至8中任一项制备的至少一种氢化硅烷在制备含硅层，优选元素硅层上的应用。