[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，包括：

半导体芯片，其具有表面及背面；

密封树脂层，其层叠在所述半导体芯片的所述表面上；

柱体，其沿厚度方向贯通所述密封树脂层，且具有与所述密封树脂层的侧面成为同一平面的侧面及与所述密封树脂层的表面成为同一平面的前端面；

外部连接端子，其设置在所述柱体的所述前端面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述外部连接端子跨越所述柱体的所述前端面和所述柱体的所述侧面形成。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

沿着所述半导体芯片的周缘设置有多个所述柱体，

所有的所述柱体的所述侧面与所述密封树脂层的所述侧面成为同一平面。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，还包括：

钝化膜，其设置在所述半导体芯片与所述密封树脂层之间，且具有多个焊盘开口；

电极焊盘，其从各所述焊盘开口露出，

所述柱体进入所述焊盘开口内，且与所述电极焊盘连接。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述柱体的所述侧面包括与所述密封树脂层接触的俯视C字状的圆弧面。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，

所述柱体由Cu构成。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，

所述外部连接端子包括形成为大致球形状的焊料球，该焊料球从所述柱体的所述前端面绕入所述柱体的所述侧面中的从所述密封树脂层露出的部分，并将该部分覆盖。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述焊料球具有覆盖所述柱体的所述侧面中的从所述密封树脂层露出的部分的被覆部分。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

所述焊料球的所述被覆部分形成为沿着所述柱体的所述侧面平行延伸的薄膜状。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其中，还包括：

背面被覆膜，其覆盖所述半导体芯片的所述背面；

遮光膜，其由对红外线具有遮光性的材料构成，且覆盖所述半导体芯片的侧面。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，

所述背面被覆膜由金属材料构成。

12.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其中，

所述遮光膜由金属材料构成。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的半导体装置，其中，

所述遮光膜及所述背面被覆膜一体形成。

14.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其中，

所述遮光膜由树脂材料构成。

15.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其中，

所述遮光膜具有由树脂材料构成的层和由金属材料构成的层的层叠构造。

16.根据权利要求11至13中任一项所述的半导体装置，其中，

所述金属材料是从由Pd、Ni、Ti、Cr及TiW构成的组中选择的一种。

17.根据权利要求14或15所述的半导体装置，其中，

所述树脂材料是从由环氧树脂、聚酰胺酰亚胺、聚酰胺、聚酰亚胺及苯酚构成的组中选择的一种。

18.根据权利要求10至17中任一项所述的半导体装置，其中，

所述背面被覆膜的厚度为3μm～100μm。

19.根据权利要求10至18中任一项所述的半导体装置，其中，

所述遮光膜的厚度为0.1μm～10μm。