[发明专利]紧密的红外光检测器及用于生产其的方法与包括所述红外光检测器的红外光检测器系统

权利要求书

1.一种红外光检测器，所述红外光检测器具有：传感器芯片(4)，其具有由热电敏感型物质制成的薄膜元件(5)；电绝缘体(27)；采用薄膜结构的至少一个电子部件(17、18)，其形成读出电子设备的一部分；以及薄膜膜片(2)，用以与所述传感器芯片(4)和所述电子部件(17、18)形成整体，从而使所述电子部件(17、18)以导电方式与所述薄膜元件(5)耦接，同时信号放大器(22)可连接到所述电子部件(17、18)，由此通过与所述电子部件(17、18)协作，对所述传感器芯片(4)所发射的电信号进行放大。

2.根据权利要求1所述的红外光检测器，其中至少一个电子部件为电阻器(17)和/或具有介电薄膜元件(19)的电容器(18)。

3.根据权利要求2所述的红外光检测器，其中用具有相同厚度的相同物质生产所述热电薄膜元件(5)和所述介电薄膜元件(19)。

4.根据权利要求2所述的红外光检测器，用所述绝缘体(27)的物质，即金属氧化物，尤其是氧化铝生产所述介电薄膜元件(19)，其中所述绝缘体(27)和所述介电薄膜元件(19)具有相同的厚度。

5.根据权利要求2到4中任一权利要求所述的红外光检测器，其中所述电阻(17)的额定值在100MΩ到500GΩ，而且所述电容器(18)在0.1pF到100pF。

6.一种红外光检测系统，其具有根据权利要求1到5中任一权利要求所述的红外光检测器，以及结型场效应晶体管和/或用于信号放大器(22)的运算放大器(22)，其中所述信号放大器(22)连接到所述红外光检测器(1)。

7.一种用于生产根据权利要求1到5中任一权利要求所述的红外光检测器的方法，其包括以下步骤：

制备薄膜膜片(2)；

将热电敏感型物质沉积在所述薄膜膜片(2)上，以形成所述热电敏感型物质的薄膜；

从所述薄膜中去除多余的物质，从而一起形成热电薄膜元件(5)和介电薄膜元件(19)。

8.根据权利要求7所述的方法，其包括以下步骤：将金属沉积在所述薄膜膜片(2)上，以形成金属层(6、8)；

去除所述多余的物质，这样，便可在底部传导路径(8)上一起形成所述热电薄膜元件(5)及其底部电极(6)以及所述底部传导路径(8)和所述介电薄膜元件(19)。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其中所述热电薄膜元件(5)和所述介电薄膜元件(19)具有相同的厚度且由相同的物质制成。

10.一种用于生产根据权利要求1到5中任一权利要求所述的红外光检测器的方法，其包括以下步骤：

制备薄膜膜片(2)；

将金属沉积在所述薄膜膜片(2)上，以形成金属层；

将热电敏感型物质沉积在所述金属层上，以形成所述热电敏感型物质的薄膜；

从所述薄膜和所述金属层中去除多余的物质，从而一起形成热电薄膜元件(5)及其底部电极(6)以及底部传导路径(8)，其中所述热电薄膜元件(5)的所述底部电极(6)具有横向突出部；

在设有头部传导路径(9)的位置，沉积金属氧化物层，以在所述底部电极(6)的所述突出部上形成电绝缘体(27)，而且在所述底部传导路径(8)上形成所述介电薄膜元件(19)，这样，所述介电薄膜元件(19)便与所述绝缘体(27)一起形成。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述绝缘体(27)与所述介电薄膜元件(19)的厚度相等且由相同物质制成。

12.根据权利要求7到11中任一权利要求所述的方法，其包括以下步骤：将金属沉积在所述介电薄膜元件(19)上，以形成电容器(18)，而且沉积在所述薄膜膜片上，以形成中间传导路径(13)。