[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 201080041377.1 | 申请日： | 2010-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102498585A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李海权 | 申请（专利权）人： | 量数设计公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：
基板；
n型半导体层，给其施加电压时提供电子；
p型半导体层，给其施加电压时提供空穴；
活性层，其设置于上述n型半导体层与上述p型半导体层之间，具有量子阱结构以激活电子与空穴的结合；
导电性n型电极，其用于给上述n型半导体层施加电压；
导电性p型电极，其用于给上述p型半导体层施加电压；
电流扩散及空穴注入层，其设置于上述p型半导体层与上述p型电极之间，用于上述p型电极与上述p型半导体层之间的电流的扩散及空穴的注入的n型杂质及p型杂质一同掺杂于该电流扩散及空穴注入层。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，上述电流扩散及空穴注入层使由电子及空穴的结合引起的光的至少一部分透过。
3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于，上述电流扩散及空穴注入层包含ZnO的化合物。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，上述n型半导体层及上述p型半导体层中的至少一种包含GaN类化合物。
5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其特征在于，上述电流扩散及空穴注入层通过分子束外延法形成。
6.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其特征在于，还包括缓冲层，该缓冲层设置于上述基板与上述n型半导体层之间。
7.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：
基板；
n型半导体层，给其施加电压时提供电子；
p型半导体层，给其施加电压时提供空穴；
活性层，其设置于上述n型半导体层与上述p型半导体层之间，具有量子阱结构以激活电子与空穴的结合；
导电性n型电极，其用于给上述n型半导体层施加电压；
导电性p型电极，其用于给上述p型半导体层施加电压；
电流扩散及空穴注入层，其设置于上述n型电极与上述n型半导体层之间，用于上述n型电极与上述n型半导体层间的电流的扩散及空穴的注入的n型杂质及p型杂质一同掺杂于该电流扩散及空穴注入层。
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