[发明专利]表面发射激光器、表面发射激光器阵列、光学扫描设备以及成像设备

权利要求书

1.一种表面发射激光器，包括：

基底；

设置在所述基底上的下部半导体多层膜反射体；

包括活性层且设置在所述下部半导体多层膜反射体上的共振体结构；

设置在所述共振体结构上的上部半导体多层膜反射体，该第二半导体多层膜反射体包括一限制结构，在该限制结构中电流通过区域被包含铝的选择性氧化层的氧化部分围绕；以及

设置在所述上部半导体多层膜反射体上的上电极，该上电极限定发射区域，

其中所述发射区域包括中心部分和周围部分，该周围部分覆盖有透明的电介质膜并且具有比所述中心部分的反射率低的反射率，

其中所述选择性氧化层具有在从30纳米到40纳米的范围内的厚度，以及

振荡阈值电流被最小化所处的温度是60摄氏度或更低。

2.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述选择性氧化层的厚度在30纳米到34纳米的范围内。

3.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述发射区域的所述周围部分相对于彼此垂直的两个方向具有光学各向异性。

4.根据权利要求3所述的表面发射激光器，其中，所述电介质膜的厚度为λ/4n，其中λ是振荡波长，n是所述电介质膜的折射率，

其中所述周围部分包括第一周围部分和第二周围部分，当从激光器发出光的方向上看时，该第一周围部分和该第二周围部分由穿过设置在它们之间的中心部分的直线彼此分开，

其中所述中心部分具有从4.0微米到5.0微米的宽度，所述直线具有从1.7微米到2.7微米的范围内的宽度。

5.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，在供给脉冲周期为1毫秒且脉冲宽度为500微秒的方波电流脉冲时满足关系：(P1-P2)/P2≥-0.1，

其中P1是在脉冲供给开始之后10纳秒的光学输出，P2是在脉冲供给开始之后1微秒的光学输出。

6.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述发射表面整个覆盖有厚度为λ/2n的第二电介质膜。

7.根据权利要求6所述的表面发射激光器，其中，所述第二电介质膜由和所述透明的电介质膜相同的材料做成。

8.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述透明的电介质膜包括SiN。

9.一种表面发射激光器阵列，包括多个根据权利要求1所述的表面发射激光器。

10.一种光学扫描设备，包括：

包括根据权利要求1所述的表面发射激光器的光源；

配置为使由所述光源发出的光束偏转的偏转器；以及

配置为将由所述偏转器偏转的光束聚焦在扫描表面上的光学扫描系统。

11.一种光学扫描设备，包括：

包括根据权利要求9所述的表面发射激光器阵列的光源；

配置为使由所述光源发出的光束偏转的偏转器；以及

配置为将由所述偏转器偏转的光束聚焦在扫描表面上的光学扫描系统。

12.一种成像设备，包括：

图像载体；以及

根据权利要求11所述的光学扫描设备，

其中所述光学扫描设备配置为用根据图像信息调制的光束扫描所述图像载体。

13.一种成像设备，包括：

图像载体；以及

根据权利要求11所述的光学扫描设备，

其中所述光学扫描设备配置为用根据图像信息调制的光束扫描所述图像载体。

14.根据权利要求12所述的成像设备，其中，所述图像信息包括多色图像信息。