[发明专利]集成光电二极管波长监视器有效
| 申请号: | 201080040583.0 | 申请日: | 2010-07-02 |
| 公开(公告)号: | CN102484352A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
| 发明(设计)人: | G·布西科;N·D·怀特布里德;A·J·沃德;A·摩泽利 | 申请(专利权)人: | 奥兰若技术有限公司 |
| 主分类号: | H01S5/026 | 分类号: | H01S5/026;H01S5/0687;G02B6/12 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘春元;李家麟 |
| 地址: | 英国北*** | 国省代码: | 英国;GB |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集成 光电二极管 波长 监视器 | ||
1.一种晶片,包括:
通过切分可分离的多个光学设备,每个光学设备包括光源,所述光源包括波导,并且每个光源被配置成输出光;以及
包括光电二极管的至少一个光学波长监视器,所述光学波长监视器被配置成输出信号,所述信号代表在所述晶片上包括的至少一个光学设备的所述光源输出的光的波长。
2.根据权利要求1所述的晶片,其中所述光学波长监视器的至少部分在所述晶片上布置成在切分之后保留于所述至少一个光学设备上。
3.根据权利要求1所述的晶片,其中所述光学波长监视器的至少部分在所述晶片上布置成在切分之后保留于相邻光学设备或者所述晶片的可丢弃部分中的至少一个上。
4.根据权利要求1-3中的任一权利要求所述的晶片,其中所述光电二极管包括具有比通过所述波导输出的光的波长短的带隙波长的半导体材料。
5.根据权利要求1-4中的任一权利要求所述的晶片,其中所述光电二极管被配置成吸收从所述光源输出的光的一部分,所述吸收依赖于波长。
6.根据权利要求1-5中的任一权利要求所述的晶片,其中所述波长监视器包括倍配置成输出附加信号的附加光电二极管,所述附加信号代表所述光的波长,其中所述光电二极管的输出不同地响应于波长。
7.根据权利要求1-5中的任一权利要求所述的晶片,其中所述波长监视器包括被配置成输出附加信号的附加光电二极管,所述附加信号代表所述光的总光学功率。
8.根据权利要求6或者7中的任一权利要求所述的晶片,其中所述光电二极管和所述附加光电二极管沿着所述波导串联布置。
9.根据权利要求8所述的晶片,其中所述光电二极管布置于所述光源内,并且所述附加光电二极管耦合到所述光源。
10.根据权利要求6或者7中的任一权利要求所述的晶片,其中:
集成波长监视器包括分路器;并且
所述光电二极管和所述附加光电二极管沿着所述波导并联布置。
11.一种具有集成波长监视器的光学设备,包括:
包括波导的光源,所述光源被配置成输出光;以及
包括光电二极管的光学波长监视器,所述光学波长监视器被配置成输出代表所述光的波长的信号。
12.根据权利要求11所述的光学设备,其中所述光电二极管包括具有比通过所述波导输出的光的波长短的带隙波长的半导体材料。
13.根据权利要求11或者12的任一权利要求所述的光学设备,其中所述光电二极管被配置成吸收从所述光源输出的光的一部分,所述吸收依赖于波长。
14.根据权利要求11-13中的任一权利要求所述的光学设备,其中所述波长监视器包括被配置成输出附加信号的附加光电二极管,所述附加信号代表所述光的波长,其中所述光电二极管的输出不同地响应于波长。
15.根据权利要求11-13中的任一权利要求所述的光学设备,其中所述波长监视器包括被配置成输出附加信号的附加光电二极管,所述附加信号代表所述光的总光学功率。
16.根据权利要求14或者15中的任一权利要求所述的光学设备,其中所述光电二极管和所述附加光电二极管沿着所述波导串联布置。
17.根据权利要求16所述的光学设备,其中所述光电二极管布置于所述光源内,并且所述附加光电二极管耦合到所述光源。
18.根据权利要求14或者15中的任一权利要求所述的光学设备,其中:
所述集成波长监视器包括分路器;并且
所述光电二极管和所述附加光电二极管沿着所述波导并联布置。
19.根据权利要求11-18中的任一权利要求所述的光学设备,其中在条形式的多个光学设备之中包括所述光学设备。
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