[发明专利]发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201080040387.3 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102498570A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;坂田淳一郎;坂仓真之;及川欣聪;冈崎健一;丸山穗高 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/10;H05B33/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;朱海煜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光装置，包括：
衬底之上的驱动器电路部分，包括：
第一晶体管，包括：
所述衬底之上的第一栅电极层；
所述第一栅电极层之上的栅极绝缘层；
所述栅极绝缘层之上的第一氧化物半导体层；
所述第一氧化物半导体层之上的第一源电极层；以及
所述第一氧化物半导体层之上的第一漏电极层；以及
所述第一氧化物半导体层、所述第一源电极层和所述第一漏电极层之上的氧化物绝缘层，所述氧化物绝缘层与所述第一源电极层和所述第一漏电极层之间的所述第一氧化物半导体层的至少一部分相接触；以及
所述衬底之上的像素部分，包括：
第二晶体管，包括：
第二栅电极层；
所述第二栅电极层之上的所述栅极绝缘层；
所述栅极绝缘层之上的第二氧化物半导体层；
所述第二氧化物半导体层之上的第二源电极层；以及
所述第二氧化物半导体层之上的第二漏电极层；
所述第二氧化物半导体层、所述第二源电极层和所述第二漏电极层之上的所述氧化物绝缘层，并且所述氧化物绝缘层与所述第二源电极层和所述第二漏电极层之间的所述第二氧化物半导体层的至少一部分相接触；
所述氧化物绝缘层之上的并且电连接到所述第二晶体管的第一电极层；
所述第一电极层之上的EL层；以及
所述EL层之上的第二电极层，
其中所述第一晶体管包括所述氧化物绝缘层之上的导电层，所述导电层与所述第一栅电极层和所述第一氧化物半导体层重叠，以及
其中所述第一和第二栅电极层、所述第一和第二源电极层以及所述第一和第二漏电极层各包括金属导电膜。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述导电层包括在与所述第一电极层相同的步骤中形成的透光导电膜。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中，氧化物导电层设置在所述第一氧化物半导体层与所述第一源电极层之间以及所述第一氧化物半导体层与所述第一漏电极层之间。
4.如权利要求1所述的发光装置，其中，氧化物导电层设置在所述第二氧化物半导体层与所述第二源电极层之间以及所述第二氧化物半导体层与所述第二漏电极层之间。
5.如权利要求1所述的发光装置，
其中，所述像素部分还包括滤色片，以及
其中所述滤色片夹在所述氧化物绝缘层与所述第一电极层之间。
6.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第二晶体管具有单栅结构。
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