[发明专利]含有离去取代基的化合物、有机半导体材料、含有该材料的有机半导体膜、含有该膜的有机电子器件、制备膜状产品的方法、π-电子共轭的化合物和制备该π-电子共轭的化合物的方法有效

专利信息
申请号: 201080040101.1 申请日: 2010-09-09
公开(公告)号: CN102596889A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 后藤大辅;山本谕;匂坂俊也;加藤拓司;冈田崇;篠田雅人;松本真二;毛利匡贵;油谷圭一郎 申请(专利权)人: 株式会社理光
主分类号: C07C69/157 分类号: C07C69/157;C07C1/36;C07C15/24;C07C17/363;C07C25/22;C07D495/04;H01L21/368
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 宋莉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 含有 离去 取代 化合物 有机 半导体材料 材料 有机半导体 电子器件 制备 产品 方法 电子 共轭
【权利要求书】:

1.含有离去取代基的化合物,其包含:

以下通式(I)表示的部分结构:

其中X1和X2对或Y1和Y2对各自表示氢原子;另一对各自表示选自卤素原子、和取代或未取代的具有一个或多个碳原子的酰氧基的基团;由所述X1和X2对或所述Y1和Y2对表示的酰氧基对可相同或不同,或可键合在一起形成环;R1~R4各自表示氢原子或取代基;和Q1和Q2各自表示氢原子、卤素原子或单价有机基团,并且可键合在一起形成环。

2.根据权利要求1所述的含有离去取代基的化合物,其中所述由通式(I)表示的部分结构包含由以下通式(III)表示的部分结构:

其中Q3~Q6各自表示氢原子、卤素原子或单价有机基团;Q3和Q4可键合在一起形成环;Q4和Q5可键合在一起形成环;以及Q5和Q6可键合在一起形成环。

3.根据权利要求1或2所述的含有离去取代基的化合物,其中所述由通式(III)表示的部分结构为由以下通式(IV)或(V)表示的部分结构:

其中n为1或更大的整数,且当n为2以上的整数时,多个括号中的取代基可相同或不同;Ar表示可具有取代基的芳基或可具有取代基的杂芳基;且Ar与环己烯衍生物的骨架经由共价键连接或与其环稠合。

4.根据权利要求3所述的含有离去取代基的化合物,其中Ar为选自以下的至少一种化合物:(i)芳族烃环、芳族杂环、其中一个或多个芳族烃环与一个或多个芳族杂环环稠合的化合物、其中两个以上芳族烃环环稠合在一起的化合物、和其中两个以上芳族杂环环稠合在一起的化合物;以及(ii)其中一个或多个芳族烃环经由共价键与一个或多个芳族杂环连接的化合物、其中两个以上芳族烃环经由共价键连接在一起的化合物、和其中两个以上芳族杂环经由共价键连接在一起的化合物。

5.根据权利要求4所述的含有离去取代基的化合物,其中所述芳族烃环为苯环,和所述芳族杂环为噻吩环。

6.根据权利要求3~5中任一项所述的含有离去取代基的化合物,其中Ar为以下基团中的任一种:

其中各基团可具有选自以下的至少一个取代基:卤素原子、C1-C18烷基、C1-C18烷氧基、C1-C18烷硫基、和芳基。

7.有机半导体材料,其包含:

由以下通式(Ia)表示的化合物,

其中该化合物是通过从根据权利要求1~6中任一项所述的含有离去取代基的化合物消去由以下通式(IIa)和(IIb)表示的卤化氢或羧酸衍生物而获得的:

8.有机半导体膜,其包含:

根据权利要求7所述的有机半导体材料。

9.有机电子器件,其包含:

根据权利要求8所述的有机半导体膜。

10.根据权利要求9所述的有机电子器件,其中所述有机电子器件为有机薄膜晶体管。

11.根据权利要求10所述的有机电子器件,其中所述有机薄膜晶体管包含:

第一电极和第二电极对,

设置于该第一电极和该第二电极之间的所述有机半导体膜,和

第三电极,

其中当电压施加到该第三电极时,该第三电极控制流过该有机半导体膜的电流。

12.根据权利要求11所述的有机电子器件,其中该有机薄膜晶体管进一步包含在所述第三电极和所述有机半导体膜之间的绝缘膜。

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