[发明专利]用于x射线发生器的开关装置

权利要求书

1.一种用于在谐振功率变换器的输出端提供所需的输出电力电压的用于x射线发生器的开关装置，

所述开关装置包括：

主开关(16)，

辅助开关(26)，

其中所述主开关(16)包括第一内部电容(5)，

其中所述辅助开关(26)并联连接至所述主开关(16)，

其中所述主开关(16)是可控的，

其中所述辅助开关(26)是可控的，

其中能够与所述主开关(16)相关地对所述辅助开关(26)进行控制，

其中能够对所述辅助开关(26)进行控制，从而使所述主开关(16)的所述第一内部电容(5)放电。

2.根据权利要求1所述的开关装置，

其中所述辅助开关(26)能够与所述主开关(16)同步地操作。

3.根据权利要求1或2所述的开关装置，

其中所述主开关(16)包括第一MOSFET(18)。

4.根据权利要求1到3中任一项所述的开关装置，

其中所述辅助开关(26)包括第二MOSFET(26)。

5.根据权利要求1到4中任一项所述的开关装置，

其中所述第一MOSFET(18)的第一漏极连接(3)与所述第MOSFET(26)的第二漏极连接(3)连接，并且所述第一MOSFET(18)的第一源极连接(2)与所述第二MOSFET(26)的第二源极连接(2)连接。

6.根据权利要求1到5中任一项所述的开关装置，

其中所述辅助开关(26)适于承载所述主开关(16)的全部电流。

7.根据权利要求1到6中任一项所述的开关装置，

其中所述主开关(16)包括第一R_dson，所述辅助开关(26)包括第二R_dson，其中，所述第一R_dson小于所述第二R_dson。

8.根据权利要求1到7中任一项所述的开关装置，

其中所述主开关(16)包括第一内部电容(5)，所述辅助开关(26)包括第二内部电容(5)，其中，所述第二内部电容(5)小于所述第一内部电容(5)。

9.根据权利要求1到8中任一项所述的开关装置，

其中所述主开关(16)包括n型MOSFET。

10.根据权利要求1到9中任一项所述的开关装置，

其中所述主开关(16)并联连接至开关电容(28)。

11.一种谐振逆变器，包括

根据权利要求1到10中的一项所述的开关装置。

12.一种对用于x射线发生器的开关装置进行控制从而在谐振功率变换器的输出端提供所需的输出功率的方法，所述方法包括

控制主开关(16)，

控制辅助开关(26)，

通过利用所述辅助开关(26)使所述主开关(16)的第一内部电容(5)放电而使所述主开关(16)放电。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，

其中控制所述主开关(16)和控制所述辅助开关(26)包括：与闭合所述主开关同步地闭合所述辅助开关(26)。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其中在重叠时间(215)内在所述辅助开关(26)的接通期间使所述主开关(18)接通。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述重叠时间(215)基本具有大约10ns到大约100ns的持续时间。