[发明专利]半导体发光元件有效

专利信息
申请号: 201080039456.9 申请日: 2010-08-23
公开(公告)号: CN102484183A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 上山智;岩谷素显;天野浩;赤崎勇;近藤俊行;寺前文晴;北野司;铃木敦志 申请(专利权)人: 崇高种子公司
主分类号: H01L33/22 分类号: H01L33/22
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张劲松
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 发光 元件
【权利要求书】:

1.一种半导体发光元件,具备:

半导体层叠部,其形成于基板的表面上,并含有发光层;

衍射面,其形成于所述基板的表面侧,入射从所述发光层发出的光,并以比该光的光学波长长且比该光的相干长度小的周期形成有凹部或凸部;

反射面,其形成于所述基板的背面侧,反射由所述衍射面衍射的光并使其向所述衍射面再入射。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件,其中,所述凹部或所述凸部的周期大于所述光学波长的2倍。

3.如权利要求1或2所述的半导体发光元件,其中,所述凹部或所述凸部的周期为所述相干长度的一半以下。

4.如权利要求1~3中任一项所述的半导体发光元件,其中,

所述发光层发出蓝色光,

所述周期为300nm以上且1500nm以下。

5.如权利要求1~4中任一项所述的半导体发光元件,其中,所述衍射面形成于折射率之差为0.5以上的不同的材料彼此之间的界面。

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