[发明专利]热固化性树脂组合物

说明书

技术领域

本发明涉及热固化性树脂组合物及干膜。

背景技术

近年来，伴随半导体封装基板的高密度化、高速性能化，连接半导体芯片和电路板的倒装芯片隆起焊盘(flip chip bump)越发窄间隙化。像这样，越发窄间隙化后，存在由于不同材质间的温度变化所引起的膨胀量的不同而产生的应力，在半导体封装基板上产生由弯曲、裂纹引起的断线等不良情况的问题。由于这样的理由，需要将电路板的绝缘层所使用的热固化性树脂的线膨胀系数(热膨胀系数)降低至与电路板所使用的其它材料的线膨胀系数(以铜箔作为基准为17ppm/℃)接近的数值。此外，进一步就线膨胀系数而言，由于半导体封装基板的用途扩大、性能提高，需要在从玻璃化转变点温度前到常温的宽温度范围内降低线膨胀系数。然而，现有的热固化性树脂的固化物在接近玻璃化转变温度的范围内的线膨胀系数高达45～65ppm/℃左右，线膨胀系数有变高的倾向。

另外，伴随半导体封装基板的微细化、多层化，在电路形成中半添加法工艺成为主流，利用镀层形成导体层成为必然，要求提高导体镀层的密合强度。进而，电路板的绝缘层为了缓和由发生膨胀量差而引起的不良情况，要求机械强度(伸长性)。

另一方面，在电路基板的绝缘层形成中使用的干膜，为了防止半导体封装基板由在制造时受到的各种各样的机械冲击、热冲击而产生破环，期望干膜处理性的提高、密合性(层压性)。

专利文献1公开了通过使用晶体间具有互换性金属阳离子的层状硅酸盐化合物，不配混大量的无机充填剂而降低线膨胀系数的方法。但是，该方法存在伸长率的降低、导体镀层的密合强度的降低较大这样的问题。

专利文献2公开了在热固化性树脂组合物中填充球状二氧化硅从而降低线膨胀系数的方法。但是，该方法由于含有大量的球状二氧化硅，有固化前的干膜状组合物变脆、处理性降低的可能。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：WO2005-056632号公报

专利文献2：日本国特开2001-49220号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于，提供实现干膜的处理性的提高、密合性(层压性)的提高，并实现使用该干膜制作的固化物(绝缘层)的线膨胀系数的降低，伸长率、密合性、导体镀层密合性(导体镀层剥离强度)也优异的热固化性树脂组合物。

本发明的发明人等为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现，按照专利文献1使热固化性树脂组合物中含有晶体间具有互换性金属阳离子的层状硅酸盐化合物时，与二氧化硅相比使线膨胀系数降低的效果较大，但无法达到提高涂膜的机械强度(伸长率)以及导体镀层的密合强度，与此相对，通过在层状硅酸盐化合物中使用滑石，可以达成线膨胀系数的降低并且提高导体镀层的密合强度而不损害热固化性树脂自身所具有的伸长性。

另外发现，按照专利文献2向热固化性树脂组合物中填充球状二氧化硅来降低线膨胀系数时，需要填充大量的球状二氧化硅。由此，固化前的干膜状组合物变得脆弱、处理性降低，与此相对，通过组合使用二氧化硅和滑石可以提高处理性，从而完成了本发明。

用于解决问题的方案

即，本发明具有以下技术特征。

(1)一种热固化性树脂组合物，其特征在于，其含有热固化性树脂、酚系固化剂、非结晶性二氧化硅和滑石。

(2)根据(1)所述的热固化性树脂组合物，其特征在于，所述非结晶性二氧化硅和滑石的总量为组合物不挥发成分量中的35～70质量％。

(3)根据(1)所述的热固化性树脂组合物，其特征在于，所述酚系固化剂的软化点温度为120℃以上。

(4)根据(1)所述的热固化性树脂组合物，其特征在于，上述非结晶性二氧化硅和滑石的总量中的滑石的量为5～90质量％。

(5)一种干膜，其是使用(1)～(4)中的任一项所述的热固化性树脂组合物制作的。

(6)根据(5)所述的干膜，其特征在于，在固化温度25～150℃下的固化物的线膨胀系数为17～30ppm/℃。

发明的效果

在本发明的热固化性树脂组合物中，通过在热固化性树脂中组合使用非结晶性二氧化硅和滑石，可以制成实现干膜的处理性的提高、密合性(层压性)的提高，并且实现热固化性树脂组合物的固化物(绝缘层)的线膨胀系数的降低，伸长率、密合性、导体镀层密合性(导体镀层剥离强度)也优异的热固化性树脂组合物。