[发明专利]用于对半导体激光器进行供电和冷却的方法和系统无效
| 申请号: | 201080039316.1 | 申请日: | 2010-09-02 |
| 公开(公告)号: | CN102640368A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
| 发明(设计)人: | 斯蒂芬·詹姆斯·特尔福德;安东尼·S·拉德瑞恩 | 申请(专利权)人: | 劳伦斯-利弗莫尔国家安全有限责任公司 |
| 主分类号: | H01S3/04 | 分类号: | H01S3/04 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 宋鹤 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 半导体激光器 进行 供电 冷却 方法 系统 | ||
1.一种半导体激光器系统,包括:
二极管激光器瓦片,该二极管激光器瓦片包括:
安装夹具,该安装夹具具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧;以及
导体激光泵阵列,该导体激光泵阵列耦接到所述安装夹具的第一侧;
电脉冲产生器,该电脉冲产生器热耦接到所述二极管激光器瓦片;以及
冷却结构,该冷却结构热耦接到所述二极管激光器瓦片和所述电脉冲产生器。
2.依据权利要求1所述的半导体激光器系统,其中所述安装夹具包括布置在所述第一侧和所述第二侧之间的第三侧。
3.依据权利要求1所述的半导体激光器系统,其中将所述电脉冲产生器的一个或者多个部件安装在所述第三侧。
4.依据权利要求1所述的半导体激光器系统,其中所述半导体激光泵阵列的每一半导体激光泵包括半导体激光器阵列。
5.依据权利要求1所述的半导体激光器系统,还包括耦接到所述半导体激光泵阵列的多个微透镜阵列。
6.依据权利要求1所述的半导体激光器系统,其中将所述电脉冲产生器的一个或者多个部件安装在所述安装夹具的第二侧。
7.依据权利要求6所述的半导体激光器系统,其中所述一个或者多个部件包括管芯形式的FET和感测电阻器。
8.一种半导体激光泵单元,包括:
半导体激光源;
热耦接到所述半导体激光源的散热器;以及
热耦接到所述散热器的脉冲产生器,其中所述脉冲产生器包括:
连接到电源的感测电阻器;以及
接地的场效应晶体管。
9.依据权利要求8所述的半导体激光泵单元,其中所述半导体激光源包括半导体激光器棒阵列。
10.依据权利要求9所述的半导体激光泵单元,其中所述半导体激光器棒包括半导体激光器阵列。
11.依据权利要求8所述的半导体激光泵单元,其中所述散热器与冷却液热连通。
12.依据权利要求8所述的半导体激光泵单元,其中将所述感测电阻器的第一端连接到电流感测放大器的第一端子。
13.依据权利要求12所述的半导体激光泵单元,其中将所述感测电阻器的第二端连接到所述电流感测放大器的第二端子。
14.依据权利要求8所述的半导体激光泵单元,其中将所述场效应晶体管安装为管芯形式。
15.依据权利要求8所述的半导体激光泵单元,其中所述电源包括DC电源。
16.依据权利要求15所述的半导体激光泵单元,还包括耦接到所述DC电源的电容器。
17.一种操作半导体激光泵单元的方法,所述方法包括:
将DC电力施加到电荷存储电容器和电力总线;
将电流脉冲施加到驱动放大器,该驱动放大器连接到电流控制FET;
响应于将所述电流脉冲施加到所述驱动放大器,使电流流经所述电流控制FET;
使电流流经感测电阻器,该感测电阻器连接到所述电力总线;
使用耦接到所述感测电阻器的第一端子和所述感测电阻器的第二端子的感测放大器来感测所述电流;以及
使所述电流流经半导体激光器阵列以产生泵浦光。
18.依据权利要求17所述的方法,其中将所述电流控制FET和所述感测电阻器热耦接到散热器。
19.依据权利要求18所述的方法,其中将所述半导体激光器阵列热耦接到所述散热器。
20.依据权利要求17所述的方法,其中所述电流控制FET的一端子接地。
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