[发明专利]氧化锌层的制备和结构化方法以及氧化锌层无效
| 申请号： | 201080039156.0 | 申请日： | 2010-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN102687287A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | E.邦特;J.奥文;J.许普克斯 | 申请（专利权）人： | 于利奇研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C14/58;C23C14/08;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 石克虎;林森 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化锌 制备 结构 方法 以及 | ||
1.用于制备氧化锌层的方法，其特征在于，该氧化锌层通过氢氟酸蚀刻。
2.权利要求1的方法，其中该氧化锌层用至少0.01 N (0.02重量%)的氢氟酸蚀刻。
3.前一权利要求的方法，其中该氧化锌层用至多2 N (4重量%)的氢氟酸蚀刻。
4.上述权利要求之一的方法，其特征在于，蚀刻时间为1-300秒。
5.上述权利要求之一的方法，其特征在于，该氧化锌层用氢氟酸和其它的酸，特别是盐酸的混合物蚀刻。
6.上述权利要求之一的方法，其特征在于，该氧化锌层通过至少一个其它的蚀刻步骤蚀刻。
7.上述权利要求之一的方法，其特征在于，该氧化锌层在用氢氟酸蚀刻步骤前经其它的酸，特别是盐酸、磷酸、硫酸、硝酸、醋酸或柠檬酸或其它的任选为有机的酸蚀刻。
8.上述权利要求之一的方法，其特征在于在不同浓度的氢氟酸中的两个蚀刻步骤。
9.上述权利要求之一的方法，其特征在于，该氧化锌层在用氢氟酸蚀刻后经其它的酸，特别是盐酸、磷酸、硫酸、硝酸、醋酸或柠檬酸或其它的任选为有机的酸蚀刻。
10.上述权利要求之一的方法，其特征在于，蚀刻电阻率小于10-2 Ohm*cm的氧化锌层。
11.前一权利要求的方法，其中蚀刻以至少5 nm/s的静态淀积速度在衬底上淀积出的氧化锌层。
12.具有双结构的氧化锌层，其中在大的凹穴中蚀刻出小凹穴。
13.前一权利要求的氧化锌层，其特征在于，该大凹穴的直径大于300 nm。
14.上述权利要求之一的氧化锌层，其特征在于，该小凹穴的直径小于300 nm。
15.上述权利要求之一的氧化锌层，其特征在于，该大凹穴的凹穴密度为0.3-3 μm-2。
16.上述权利要求之一的氧化锌层，其特征在于，该小凹穴的凹穴密度为5-100μm-2。
17.具有衬底的层结构，其包含至少一层上述权利要求12-16之一的氧化锌层。
18.太阳能电池，其包含上述权利要求12-16之一的氧化锌层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
