[发明专利]通过真空沉积技术以连续工艺活化电极表面

权利要求书

1.制造用于电解过程的电极的方法，其包括通过化学或物理气相沉积技术在金属基材上连续沉积贵金属或其氧化物的致密层。

2.根据权利要求1的方法，其包括以下步骤：

-将预制工件形式的所述金属基材装载到物理气相沉积装置的调节室中；

-在第一压力水平下将所述调节室减压；

-对所述的预制工件顺序自动执行装载入沉积室中、在低于所述第一压力水平的第二压力水平下物理气相沉积所述贵金属的致密层、顺序卸载到提取室中的循环。

3.根据权利要求2的方法，其中所述第一压力水平为10^-3-1Pa，并且所述第二压力水平为10^-6-10^-3Pa。

4.根据权利要求2或3的方法，其包括在氧化气氛中热处理的随后步骤。

5.根据权利要求2或3的方法，其中所述的物理气相沉积步骤包括同时用气态反应物氧化所述贵金属。

6.根据权利要求3-5中任一项的方法，其中所述物理气相沉积装置为IBAD装置，并且通过用从具有1000-2000eV能量的等离子相提取的离子轰击来进行所述贵金属的致密层的所述物理气相沉积，在此之前为通过在200-500eV下的氩离子轰击的基材清洁步骤。

7.根据权利要求1的方法，其中所述物理气相沉积装置为卷到卷或卷到片型的MPS或DC等离子溅射装置，并且贵金属的所述致密层的所述物理气相沉积在10^-3-1Pa的压力水平下进行。

8.根据权利要求7的方法，其包括随后在氧化剂气氛中热处理的步骤。

9.根据权利要求7的方法，其中所述物理气相沉积包括同时用气态反应物氧化所述贵金属。

10.根据在前权利要求中任一项的方法，其中所述金属基材由镍、钢或钛制成。

11.根据在前权利要求中任一项的方法，其中所述贵金属或其氧化物选自铂、钌、铱和其氧化物。