[发明专利]液晶显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201080038924.0 | 申请日: | 2010-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN102483546A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
| 发明(设计)人: | 原义仁;中田幸伸 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示装置,其特征在于,在薄膜晶体管阵列基板与相对基板之间夹持有液晶层,具有多个像素,
该薄膜晶体管阵列基板具备:
栅极线和源极线,其按格子状配置于支撑基板的主面上;
透明像素电极,其配置于该像素中;
薄膜晶体管,其形成于该源极线和该栅极线的交点附近;以及
从支撑基板侧起依次层叠的栅极绝缘膜、钝化膜、透明导电膜、第1绝缘膜以及透明像素电极,
该透明像素电极通过形成于该第1绝缘膜中的接触孔与构成该薄膜晶体管的漏极电极电连接,
当从法线方向观看基板面时,该透明导电膜与将该透明像素电极和该漏极电极电连接的区域不重叠。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,上述透明导电膜位于隔着上述第1绝缘膜与上述透明像素电极重叠的位置。
3.根据权利要求1或2所述的液晶显示装置,其特征在于,上述薄膜晶体管阵列基板还具备辅助电容电极,当从法线方向观看基板面时,上述辅助电容电极隔着上述钝化膜与该透明导电膜相对。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的液晶显示装置,其特征在于,上述薄膜晶体管阵列基板还具备辅助电容配线,当从法线方向观看基板面时,该辅助电容配线隔着该栅极绝缘膜与该透明导电膜相对。
5.根据权利要求4所述的液晶显示装置,其特征在于,上述辅助电容电极和上述辅助电容配线隔着上述栅极绝缘膜相对。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的液晶显示装置,其特征在于,上述像素的间距为40μm以下。
7.根据权利要求1~6中的任一项所述的液晶显示装置,其特征在于,上述透明导电膜的电位是恒定的。
8.根据权利要求1~7中的任一项所述的液晶显示装置,
当从法线方向观看基板面时,上述透明导电膜仅在与上述第1绝缘膜的开口部及其周边重叠的位置开口。
9.一种液晶显示装置的制造方法,其特征在于,是权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法,
至少使用6个光掩模来形成上述薄膜晶体管阵列基板,
该方法具备如下工序:
第1光刻工序,在形成该薄膜晶体管阵列基板的支撑基板的主面上使用第1光掩模形成栅极线;
第2光刻工序,使用第2光掩模形成半导体层;
第3光刻工序,使用第3光掩模形成源极线;
第4光刻工序,使用第4光掩模形成透明导电膜;
第5光刻工序,使用第5光掩模形成覆盖该透明导电膜的第1绝缘膜;以及
第6光刻工序,使用第6光掩模在利用源极线和栅极线划分的像素中形成透明像素电极,
在该第1光刻工序与第2光刻工序之间还包含形成上述栅极绝缘膜的栅极绝缘膜形成工序,在第3光刻工序与第4光刻工序之间还包含形成上述钝化膜的钝化膜形成工序。
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