[发明专利]光学元件的制造方法

权利要求书

1.一种光学元件的制造方法，其特征在于，包括：

电极形成工序，该电极形成工序在铁电体基板的+Z面和-Z面上形成金属膜，以制作电极；

周期电极形成工序，该周期电极形成工序将形成于所述+Z面的所述金属膜形成为周期电极；

极化反转形成工序，该极化反转形成工序在所述周期电极与所述-Z面的电极之间施加电压，以在所述铁电体基板的内部形成极化反转区域；

表面处理工序，该表面处理工序去除所述电极、所述周期电极、及所述铁电体基板的+Z面和-Z面的表面层；以及

退火工序，该退火工序对去除了所述表面层的铁电体基板施加规定的热。

2.如权利要求1所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

所述铁电体基板是掺入Mg的LiTa(1-x)NbxO₃(0≤x≤1)。

3.如权利要求2所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

所述铁电体基板的结晶是化学计量成分。

4.如权利要求1所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

所述极化反转区域的极化反转宽度为2μm以上。

5.如权利要求1所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

所述表面处理工序中的表面层的去除深度距离所述铁电体表面大于10nm。

6.如权利要求1所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

利用干法蚀刻或湿法蚀刻或研磨，来进行所述表面处理工序中的表面层的去除。

7.如权利要求1所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

在所述铁电体基板的+Z面和-Z面上，在相邻的极化反转区域之间形成阶差。

8.如权利要求7所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

利用蚀刻速度沿所述铁电体基板的Z轴方向具有各向异性的蚀刻溶液来进行湿法蚀刻，从而形成所述阶差。

9.如权利要求8所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

所述蚀刻溶液是氟硝酸溶液。

10.如权利要求7所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

利用研磨来形成所述阶差，所述研磨使用了研磨速度沿所述铁电体基板的Z轴方向具有各向异性的研磨剂。

11.如权利要求1所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

在所述退火工序前的所述铁电体基板的+Z面和-Z面上，设置有具有规定电阻率的氧化硅膜。

12.如权利要求11所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

所述规定的电阻率为10⁵Ω/□以上。

13.如权利要求1所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

在将所述铁电体基板保持于绝缘体之上的状态下，进行所述退火工序。