[发明专利]用于执行等离子体约束的多外围环装置

权利要求书

1.用于在等离子体处理系统的处理室内在衬底处理过程中执行等离子体约束的装置，包括：

第一外围环，其被配置为至少用于包围受约束的容积腔，其中所述受约束的容积腔被配置为用于在衬底处理过程中维持用于蚀刻所述衬底的等离子体，所述第一外围环包括第一多个槽，其中所述第一多个槽被配置为至少用于在所述衬底处理过程中从所述受约束的容积腔排出处理后副产品气体；

第二外围环，其中所述第二外围环被设置为紧靠所述第一外围环，所述第二外围环包括第二多个槽，其中所述第二多个槽的第一槽被设置为紧靠所述第一多个槽的第一槽，使得所述第二多个槽的所述第一槽不与所述第一多个槽的所述第一槽重叠，从而阻止从所述受约束的容积腔内到外部容积腔的直视线路，其中所述外部容积腔是所述第一外围环外面的区域；以及

歧管，其将所述第一外围环连接到所述第二外围环，其中所述歧管被配置为至少用于提供将所述处理后副产品气体从所述受约束的容积腔排出的路线。

2.如权利要求1所述的装置，进一步包括耦合到所述第二外围环的电源，其中所述电源被配置为至少用于在所述第二外围环上产生电荷以使电子转向流回到所述受约束的容积腔中。

3.如权利要求2所述的装置，其中所述电源是射频电源。

4.如权利要求2所述的装置，其中所述电源是直流电源。

5.如权利要求1所述的装置，其中所述第一外围环由包括绝缘材料的材料制成。

6.如权利要求1所述的装置，其中所述第一外围环由包括半导体材料的材料制成。

7.如权利要求1所述的装置，其中所述第二外围环由包括绝缘材料的材料制成。

8.如权利要求1所述的装置，其中所述第一外围环由包括导体材料的材料制成。

9.如权利要求1所述的装置，其中所述等离子体处理系统是电容耦合等离子体处理系统。

10.用于在等离子体处理系统的处理室内在衬底的处理过程中执行压强控制的装置，包括：

用于执行所述等离子体约束的多外围环装置，其中所述多外围环装置包括至少

第一外围环，其被配置为至少用于包围受约束的容积腔，其中所述受约束的容积腔被配置为用于在衬底处理过程中维持用于蚀刻所述衬底的等离子体，所述第一外围环包括第一多个槽，其中所述第一多个槽被配置为至少用于在所述衬底处理过程中从所述受约束的容积腔排出处理后副产品气体，

第二外围环，其中所述第二外围环被设置为紧靠所述第一外围环，所述第二外围环包括第二多个槽，其中所述第二多个槽的第一槽被设置为紧靠所述第一多个槽的第一槽，使得所述第二多个槽的所述第一槽不与所述第一多个槽的所述第一槽重叠，从而阻止从所述受约束的容积腔内到外部容积腔的直视线路，其中所述外部容积腔是所述第一外围环外面的区域，以及

歧管，其将所述第一外围环连接到所述第二外围环，其中所述歧管被配置为至少用于提供将所述处理后副产品气体从所述受约束的容积腔排出的路线；以及

导通控制环，其中所述导通控制环被设置为紧靠所述多外围环装置并被配置为包括第三多个槽，其中通过相对于所述多外围环装置移动所述导通控制环使得所述多外围环装置的所述第二多个槽的第一槽相对于所述导通控制环的所述第三多个槽的第二槽偏置，所述压强控制得以实现，其中所述偏置在从零偏置到全偏置的范围内。

11.如权利要求10所述的装置，进一步包括马达，其中所述马达被配置来移动所述导通控制环以执行所述压强控制。

12.如权利要求11所述的装置，进一步包括被配置用于收集关于所述受约束的容积腔内的压强量的处理数据的成组的传感器。

13.如权利要求12所述的装置，进一步包括控制模块，该控制模块被配置为至少用于

从所述成组的传感器接收所述处理数据，

分析所述处理数据，

为所述导通控制环确定新的位置，以及

将所述新的位置作为成组的指令发送给所述马达。

14.如权利要求13所述的装置，其中所述马达被配置来接收所述成组的指令且移动所述导通控制环以调节所述受约束的容积腔内的所述压强量。