[发明专利]射频(RF)接地返回装置

权利要求书

1.一种射频(RF)接地返回装置，其用于在处理衬底期间为等离子体处理腔的处理腔内的RF电流提供低阻抗的RF返回路径，包括：

成套限制环，其中所述成套限制环被配置为围绕受限容积腔，其中所述受限容积腔被配置为在衬底处理期间维持用于刻蚀所述衬底的等离子体；

下电极支承结构；以及

实现RF接触的部件，其中所述实现RF接触的部件在所述成套限制环与所述下电极支承结构之间提供了RF接触，使得所述低阻抗的RF返回路径帮助所述RF电流返回到RF源。

2.根据权利要求1所述的RF接地返回装置，其中所述实现RF接触的部件由导电材料制成。

3.根据权利要求2所述的RF接地返回装置，其中所述下电极支承结构为固定结构。

4.根据权利要求3所述的RF接地返回装置，其中所述实现RF接触的部件为RF衬垫。

5.根据权利要求2所述的RF接地返回装置，其中所述下电极支承结构为可动结构且所述实现RF接触的部件为RF衬垫。

6.根据权利要求5所述的RF接地返回装置，其中所述RF衬垫是柔性的，因此当所述下电极支承结构垂直移动时所述RF衬垫能使所述下电极支承结构与所述成套限制环保持所述RF接触。

7.根据权利要求5所述的RF接地返回装置，其中所述实现RF接触的部件为弹簧承载的接触滑动装置，其中所述弹簧承载的接触滑动装置包括固定于所述成套限制环的弹簧部件，其中所述弹簧部件偏置抵靠所述下电极支承结构的侧壁并被配置为当所述下电极支承结构垂直移动时通过弹簧接触点与所述下电极支承结构保持接触。

8.根据权利要求7所述的RF接地返回装置，其中所述弹簧部件为弹簧片。

9.根据权利要求5所述的RF接地返回装置，其中所述实现RF接触的部件为RF杆。

10.根据权利要求9所述的RF接地返回装置，其中所述下电极支承结构包括填充导电液体的凹槽。

11.根据权利要求10所述的RF接地返回装置，其中所述导电液体为水银。

12.根据权利要求11所述的RF接地返回装置，其中所述RF杆被设置在所述导电液体内，因此在所述成套限制环与所述下电极支承结构之间提供所述RF接触。

13.根据权利要求12所述的RF接地返回装置，其中衬垫被配置为为所述导电液体提供覆盖物，从而防止在将所述RF杆配置在所述导电液体时所述导电液体进入所述受限容积腔。

14.根据权利要求13所述的RF接地返回装置，其中所述衬垫为O型圈。

15.根据权利要求5所述的RF接地返回装置，其中所述实现RF接触的部件为所述成套限制环的延伸部。

16.根据权利要求15所述的RF接地返回装置，其中所述延伸部与所述下电极支承结构的侧表面区域平行。

17.根据权利要求16所述的RF接地返回装置，其中所述延伸部被设置为靠近所述下电极支承结构以便在所述延伸部与所述下电极支承结构之间创建大电容区域，从而为所述RF电流回到所述RF源提供所述低阻抗的RF返回路径。

18.根据权利要求1所述的RF接地返回装置，其中所述低阻抗的RF返回路径帮助所述RF电流回到所述RF源而不使所述RF电流在所述受限容积腔外部产生RF场，从而避免在所述处理期间引发不受限等离子体。

19.根据权利要求1所述的RF接地返回装置，其中所述处理腔为电容耦合等离子体处理腔。

20.根据权利要求1所述的RF接地返回装置，其中所述成套限制环由导电材料制成。