[发明专利]产生等离子体的微波天线

权利要求书

1.一种产生等离子体的微波天线，其包括，波导管；天线体；以及，同轴结构连接部，其对所述波导管和所述天线体进行电连接，其中，所述天线体：

设置有多个槽的环状的导电体块，

在所述导电体块的所述多个槽之间形成凹槽，

在所述凹槽中插入有多个永磁体。

2.根据权利要求1所述的产生等离子体的微波天线，其特征在于：

所述多个槽贯通所述导电体块的内外部。

3.根据权利要求1所述的产生等离子体的微波天线，其特征在于：

所述天线体还包括盖子，其防止所述永磁体向外部脱离。

4.根据权利要求1或2所述的产生等离子体的微波天线，其特征在于：

所述多个槽具有反复的方波脉冲形状。

5.根据权利要求4所述的产生等离子体的微波天线，其特征在于：

所述多个槽的所述导电体块的高度方向及圆周方向的长度为根据使用频率确定的波长1/2的长度，

所述多个槽在端部中短路(short)。

6.根据权利要求1或2所述的产生等离子体的微波天线，其特征在于：

所述多个永磁体被插入在所述导电体块的所述多个槽之间形成的凹槽中，并排列成上部为N极，下部为S极，或者上部为S极，下部为N极。

7.根据权利要求1所述的产生等离子体的微波天线，其特征在于：

所述天线体还包括与所述同轴结构连接部进行电连接的外部导电体连接部以及内部导电体连接部。

8.根据权利要求1或2所述的产生等离子体的微波天线，其特征在于：

根据所述天线体内部的磁场倾斜度和曲率的高能电子的移动通过下述公式进行控制，

V‾d=mee(V||2+12V⊥2)B‾×Rc‾B2R2]]>

在此，V_d为漂移速度向量，

V_||为磁场方向速度向量，

V_⊥为磁场和直角方向速度，

B为磁场向量，

R_c为磁场曲率向量。

9.根据权利要求1或2所述的产生等离子体的微波天线，其特征在于：

所述同轴结构连接部形成为大直径同轴结构，其包括，内部导电体；外部导电体，其设置在所述内部导电体的外部；以及，陶瓷绝缘体，其覆盖所述内部导电体的一端部。

10.根据权利要求9所述的产生等离子体的微波天线，其特征在于：

所述同轴结构连接部还包括冷却堆，其冷却所述内部导电体以及所述外部导电体。

11.根据权利要求9所述的产生等离子体的微波天线，其特征在于：

所述同轴结构连接部还包括天线体连接部。

12.根据权利要求9所述的产生等离子体的微波天线，其特征在于：

所述内部导电体插入于所述波导管，从而将所述波导管内的微波耦合为同轴结构，进而传达功率。