[发明专利]化学机械抛光组合物以及用于抑制多晶硅移除速率的方法

权利要求书

1.适用于抛光含氮化硅的基材同时抑制多晶硅从该基材移除的化学机械抛光组合物，该组合物包含0.01至15重量％的悬浮于含有10至10000ppm表面活性剂的含水载体中的研磨剂颗粒，所述表面活性剂包括炔二醇、炔二醇乙氧基化物、或它们的组合。

2.权利要求1的组合物，其中，该含水载体具有最高达10的pH。

3.权利要求1的组合物，其中，该含水载体具有1-4的pH。

4.权利要求1的组合物，其中，该研磨剂颗粒包括胶态二氧化硅。

5.权利要求1的组合物，进一步包含10至100000ppm的至少一种含羧酸的添加剂。

6.权利要求5的组合物，其中，该至少一种含羧酸的添加剂包括丙二酸、甘氨酸、或它们的组合。

7.权利要求1的组合物，其中，该表面活性剂以20-1000ppm的浓度存在。

8.权利要求1的组合物，其中，该表面活性剂包括式(I)的炔二醇化合物和/或每摩尔炔二醇化合物包含1-40摩尔的亚乙基氧单元的式(I)炔二醇化合物的乙氧基化物，

式(I)：

其中

R¹及R²各自独立地为H或甲基；且

R³及R⁴各自独立地为C₁至C₂₂烷基。

9.权利要求1的组合物，进一步包含有机或无机盐添加剂。

10.权利要求9的组合物，其中，该盐添加剂包括硫酸钾。

11.抛光半导体基材以从该基材表面优先于多晶硅移除氮化硅的方法，该方法包括用CMP组合物研磨含氮化硅及多晶硅的基材的表面，该CMP组合物包含0.01至15重量％的悬浮于含有10至10000ppm表面活性剂的含水载体中的研磨剂颗粒，所述表面活性剂包括炔二醇、炔二醇乙氧基化物、或它们的组合。

12.权利要求11的方法，其中，该抛光在过氧化氢的存在下进行。

13.权利要求11的方法，其中，该CMP组合物中的表面活性剂包括式(I)的炔二醇化合物和/或每摩尔炔二醇化合物包含1-40摩尔的亚乙基氧单元的式(I)炔二醇化合物的乙氧基化物，

式(I)：

其中

R¹及R²各自独立地为H或甲基；且

R³及R⁴各自独立地为C₁至C₂₂烷基。

14.权利要求11的方法，其中，该研磨通过如下进行：

(a)使所述基材的表面接触抛光垫及所述CMP组合物；和

(b)使所述抛光垫与所述基材之间发生相对运动，同时保持所述CMP组合物的一部分与在所述垫和所述基材之间的所述表面接触一段足以从所述表面磨除氮化硅的时间。

15.权利要求11的方法，其中，该组合物进一步包含10至100000ppm的至少一种含羧酸的添加剂。

16.权利要求15的方法，其中，该至少一种含羧酸的添加剂包括丙二酸、甘氨酸、或它们的组合。

17.权利要求11的方法，其中，该组合物进一步包含有机或无机盐添加剂。

18.权利要求17的方法，其中，该盐添加剂包括硫酸钾。

19.权利要求11的方法，其中，该含水载体具有最高达10的pH。

20.权利要求19的方法，其中，该含水载体具有1-4的pH。