[发明专利]测量晶片偏压的方法与装置

权利要求书

1.一种在具有等离子体形成容积空间和热缘环的晶片处理腔中使用的装置，所述热缘环具有第一表面与第二表面，所述第一表面与所述等离子体形成容积空间接触，所述第二表面与所述等离子体形成容积空间不接触，所述装置包括：

检测器，其可操作地接触所述热缘环的所述第二表面，其中所述检测器可操作地检测所述热缘环的参数并基于所检测到的所述参数提供检测到的信号。

2.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：

耦合环，其可操作地接触所述热缘环的所述第二表面，所述耦合环中具有空腔，所述空腔具有面向所述热缘环的所述第二表面的开口，

其中所述检测器被配置在所述空腔内并被设置为与所述热缘环的所述第二表面接触。

3.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：

输出部分，其可操作地基于所述检测到的信号提供输出信号；及

电阻器，其被配置在所述检测器与所述输出部分之间并与所述检测器和所述输出部分串联。

4.根据权利要求3所述的装置，进一步包括配置为与所述电阻器接触的散热器。

5.根据权利要求4所述的装置，其中所述散热器包括石英。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述检测器包括铟。

7.根据权利要求1所述的装置，

其中所述检测器包括偏置部分与接触部分，且

其中所述偏置部分可操作地提供靠压所述接触部分的偏置力以保持所述接触部分与所述热缘环的所述第二表面接触。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述偏置部分包括螺旋弹簧。

9.一种在具有等离子体形成容积空间和热缘环的晶片处理腔中测量晶片电势的方法，所述热缘环具有第一表面与第二表面，所述第一表面与所述等离子体形成容积空间接触，所述第二表面与所述等离子体形成容积空间不接触，所述方法包括：

使所述热缘环的所述第二表面与检测器接触；使用所述检测器检测所述热缘环的参数；基于所检测到的所述参数提供检测到的信号；以及基于所述检测到的信号测量晶片电势。