[发明专利]低压降调节器

权利要求书

1.一种低压降电压调节器，包括输出端子，所述输出端子用于提供根据基准电压调节的输出电压(V_out)，且用于提供输出电流(I_out)，并且所述低压降电压调节器还包括输出电流限制单元(LIMIT3)，所述单元包括：

-输出电流复制模块(T31)，所述输出电流复制模块用于提供所述输出电流的镜像电流(I_mirror)，

-比较模块(COMP31、COMP32)，所述比较模块用于比较所述镜像电流与基准电流(I_ref)，

-反馈模块(COMP31、COMP32、R₃₅、REGUL3)，当所述镜像电流大于所述基准电流时，位于所述调节器中的所述反馈模块用于限制所述输出电流，

其中，所述镜像电流被注入到所述输出端子。

2.如权利要求1所述的调节器，其中，所述基准电流被注入到所述输出端子。

3.如前述任一项权利要求所述的调节器，其中，所述比较模块包括：

-第一输入，所述第一输入与第一电势连接，所述第一电势是所述输出电压和所述镜像电流的强度的函数，及

-第二输入，所述第二输入与第二电势连接，所述第二电势是所述输出电压和所述基准电流的强度的函数。

4.如权利要求3所述的调节器，其中，

-所述输出端子为第一PMOS功率晶体管(T30)的漏极，

-所述输出电流复制模块包括与所述第一晶体管成对的第二PMOS晶体管，所述第一晶体管的栅极连接到所述第二晶体管的栅极且所述第一晶体管的源极连接到所述第二晶体管的源极，

-所述比较器的输出连接到所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极，

所述调节器还包括：

-第一电阻(R₃₃)，所述第一电阻设置在所述输出端子和所述比较器的所述第一输入之间，及

-第二电阻(R₃₄)，所述第二电阻设置在所述输出端子和所述比较器的所述第二输入之间。

5.一种包括如权利要求1至4中任一项所述的调节器的装置。

6.一种用于控制低压降电压调节器的方法，所述低压降电压调节器包括输出端子，所述输出端子用于提供根据基准电压调节的输出电压(V_out)，且用于提供输出电流(I_out)，并且所述低压降电压调节器还包括输出电流限制单元(LIMIT3)，所述方法包括：

复制(S60)所述输出电流以提供所述输出电流的镜像电流(I_mirror)，

比较(S61)所述镜像电流与基准电流(I_ref)，

当所述镜像电流大于所述基准电流时，给所述调节器提供反馈(S63)，以限制所述输出电流，及

将所述镜像电流注入(S64)到所述输出端子。

7.如权利要求6所述的方法，还包括：

-将所述参考电流注入到所述输出端子。