[发明专利]红外辐射微装置的外壳和制备所述外壳的方法

权利要求书

1.将红外辐射微单元(120，121)容置以提供晶圆级红外辐射微装置(100)的方法，外壳包括盖子(101)和基底(102)以及硅距离框架(140)，所述方法包括以下步骤：

-以图案掩蔽所述盖子(101)，以形成表面纹理，所述表面纹理用于以下目的之一：降低所述盖子(101)对于红外辐射的反射率，和增强所述盖子(101)对于红外辐射的透过率，

-蚀刻所述盖子(101)以创建具有所述表面纹理的区域(190,195)，所述表面纹理包括隆起和/或凹陷，

-在所述盖子(101)的基底侧上提供硅距离框架(140)，其中所述硅距离框架(140)通过以下方式提供：

-在包含表面纹理的盖子(101)上沉积非结构化TEOS层，从而也覆盖所述表面纹理，

-通过CVD在非结构化的TEOS层上沉积硅层，

-用限定硅距离框架(140)的图案掩蔽CVD沉积的硅层，

-蚀刻所述CVD沉积的硅层以提供硅距离框架(140)，并

-去除所述硅距离框架(140)外的所述盖子(101)的非结构化TEOS层，暴露表面纹理；

-将所述基底(102)和所述盖子(101)与中间的所述距离框架(140)接合(380)，这样所述基底(102)、所述盖子(101)和所述距离框架(140)形成空腔(116)，容置基底(102)上的红外辐射微单元(120,121)。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括其他步骤：将吸气剂材料层(115)施加于所述盖子(101)或所述基底(102)上。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其包括其他步骤：通过金和锡电镀在所述硅距离框架(140)上施加密封框架金属涂层(150)。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其包括其他步骤：

在所述盖子(101)，尤其是所述盖子(101)的远离基底(102)一侧上沉积多个Ge-ZnS层，所述多个Ge-ZnS具有不同的层厚度用于消除多个波长。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述基底(102)为基底晶圆的一部分和/或所述盖子(101)为盖子晶圆的一部分。

6.根据权利要求5所述的方法，其包括将所述基底(102)和所述盖子(101)与中间的距离框架(140)接合(380)，这样每组基底、盖子和距离框架形成空腔，容置各红外辐射微单元(120,121)。

7.根据权利要求5所述的方法，其包括其他步骤：盖子晶圆和/或基底晶圆切割。

8.根据权利要求7所述的方法，其中切割所述盖子晶圆以暴露电接触垫。

9.根据权利要求7所述的方法，其中切割所述盖子晶圆，不切割所述基底晶圆，对于电气装置特征描述，将具有切割的盖子晶圆的未切割的基底晶圆暴露于测试气体气氛，测量真空水平，识别未切割的基底晶圆上的泄露装置，用于以后的废弃。

10.根据权利要求9所述的方法，其中切割所述基底晶圆以获得测试的红外辐射微装置。

11.根据权利要求9所述的方法，其中通过检测容置的红外辐射微单元(120,121)的热绝缘特性测量真空水平。

12.红外辐射微单元(120)的外壳，其包括晶圆级的基底晶圆和盖子晶圆，其通过权利要求1-11任一项所述的方法制造，所述外壳包括：

-硅距离框架(140)，在添加过程中在盖子(101)的基底侧或基底(102)的盖子侧上形成，并设置在基底(102)和盖子(101)之间以形成空腔(116)；

-空腔(116)，其容置红外辐射检测、发射或反射红外辐射微单元(120)并设置在基底(102)和盖子(101)之间，

-盖子(101)，其包括抗反射表面纹理(195,191)，以增强红外辐射的透过率。

13.根据权利要求12所述的外壳，其中通过被蚀刻在所述盖子(101)的材料中的隆起或凹陷而形成所述抗反射表面纹理。

14.根据权利要求12所述的外壳，其中在所述盖子(101)的远离基底一侧上设置与所述抗反射表面纹理相对的薄膜抗反射涂层(132)。